[发明专利]半导体晶圆的连续处理装置及方法

权利要求书

1.提供一种半导体晶圆的连续处理装置，包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室，其特征在于：

所述多个腔室中一个以上的腔室，包括：

基座，为工序过程中支撑晶圆而固定设置；

下部机壳，固定设置在所述基座的外侧，在所述晶圆的下部形成隔离的工序空间；

上部机壳，为所述晶圆的上部形成隔离的工序空间而上下移动；转盘，在所述上部机壳与下部机壳之间形成，并形成露出所述基座上部的孔，因所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转，在所述基座的上部使所述晶圆上下移动；

安放环，插入所述孔的上方并能脱离，安放所述晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述多个腔室中的一个是装载及卸载腔室，从外部装载晶圆，向外部卸载处理完的晶圆。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述下部机壳，提供所述转盘接触上端的状态下被隔离的工序空间的下部侧；

所述上部机壳，提供其下端部向下移动而接触所述转盘的上部而被隔离的工序空间的上部侧。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述下部机壳，提供所述安放环接触上端的状态下被隔离的工序空间的下部侧；

所述上部机壳，提供其下端部向下移动而接触所述安放环的上部并被隔离的工序空间的上部侧。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述基座，在通过所述转盘移送的所述晶圆因所述转盘的向下移动而位于上部的状态下，以设定的工序温度加热所述晶圆。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述腔室具备提升销，支撑所述晶圆的底面，把所述晶圆安放到所述安放环。

7.根据权利要求5所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述多个腔室中，根据工序气体处理晶圆的工序腔室，具有位于所述工序空间的上部侧的喷头；

所述喷头，形成在流入气体的缓冲空间，和所述缓冲空间向晶圆均匀形成向下的多个喷射口。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述安放环采用阶梯形状，使所述晶圆向内侧安放。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述安放环上沿着外周形成多个所述工序气体通过的气体通孔。

10.根据权利要求8所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述多个腔室中根据工序气体处理晶圆的工序腔室中具备提升销，在所述基座的外侧上下移动，支撑安放所述晶圆的安放环的底面，使所述安放环从所述孔向上脱离。

11.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述安放环的内侧形成多个支撑销，支撑所述晶圆的底面，向所述安放环的中心方向突出；

所述基座的上面形成狭缝形状的槽，在所述基座的上面插入所述支撑销，使其能够上下移动。

12.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述安放环由非金属材质形成。

13.根据权利要求12所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述安放环由陶瓷材质形成。

14.根据权利要求5所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述工序腔室的工序空间的上部侧具备上部加热器，工序中加热所述晶圆的上部。

15.根据权利要求14所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于：

所述上部加热器的下部具有缓冲空间，流入工序气体；喷头，在所述缓冲空间向晶圆向下形成多个均匀喷射口；

所述上部加热器加热流入所述缓冲空间的工序气体。

16.根据权利要求1所述的半导体晶圆的连续处理装置，其特征在于，还包括：

多个滚轴，所述转盘旋转时，接触所述转盘底面的边缘部分。