[发明专利]近红外线吸收性组合物及其应用、照相机模块及其制造方法、磺酸铜络合物及其混合物有效
申请号: | 201480004195.5 | 申请日: | 2014-02-03 |
公开(公告)号: | CN104937453B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 川岛敬史;人见诚一;高桥秀知;奈良裕树;朴星戊 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02B5/22 | 分类号: | G02B5/22;C08F2/44;C08K5/42;C08L63/00;H01L27/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨贝贝,臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 吸收性 组合 使用 截止 滤波器 及其 制造 方法 以及 照相机 模块 | ||
1.一种近红外线吸收性组合物,含有使两种以上的下述通式(I)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物,
通式(I)中,R1表示分子量300以下的有机基。
2.一种近红外线吸收性组合物,含有:具有铜作为中心金属且具有结构互不相同的下述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(II)所表示的结构且所述结构互不相同的铜络合物;以及溶剂,
通式(I)中,R1表示分子量300以下的有机基;通式(II)中,R2表示分子量300以下的有机基;“*”表示与铜配位键结的部位。
3.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中所述R1和/或R2分别独立地为烷基、芳基或具有不饱和双键的有机基。
4.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中所述通式(I)所表示的磺酸是选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。
5.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物,其中所述铜络合物是使三种以上的所述通式(I)所表示的磺酸或其盐与所述铜成分反应而成。
6.根据权利要求2所述的近红外线吸收性组合物,其中所述近红外线吸收性组合物含有:三种以上的具有结构互不相同的所述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或三种以上的具有所述通式(II)所表示的结构且所述结构互不相同的铜络合物。
7.根据权利要求2所述的近红外线吸收性组合物,其中所述近红外线吸收性组合物还含有:具有结构全部相同的所述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有所述通式(II)所表示的结构且所述结构全部相同的铜络合物。
8.一种近红外线吸收性组合物,含有:使下述通式(III)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物;及溶剂,
通式(III)中,R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基。
9.一种近红外线吸收性组合物,含有:具有铜作为中心金属且具有下述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(Ⅳ)所表示的结构的铜络合物;及溶剂,
通式(III)中,R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基;通式(Ⅳ)中,R4表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基;“*”表示与铜配位键结的部位。
10.根据权利要求8或9所述的近红外线吸收性组合物,其中所述R3和/或R4分别独立地为含有烷基或芳基的有机基。
11.根据权利要求8或9所述的近红外线吸收性组合物,其中所述通式(III)所表示的磺酸为选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。
12.根据权利要求9所述的近红外线吸收性组合物,其中所述近红外线吸收性组合物含有:两种以上的具有结构全部相同的所述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或两种以上的含有所述通式(Ⅳ)所表示的结构且所述结构全部相同的铜络合物。
13.根据权利要求1、2、8及9中任一项所述的近红外线吸收性组合物,还含有硬化性化合物。
14.根据权利要求13所述的近红外线吸收性组合物,其中所述硬化性化合物为三官能以上的(甲基)丙烯酸酯和/或环氧树脂。
15.根据权利要求1、2、8及9中任一项所述的近红外线吸收性组合物,其中近红外线吸收性组合物的固体成分为35质量%~90质量%。
16.根据权利要求1、2、8及9中任一项所述的近红外线吸收性组合物,其是在固体摄像元件用影像传感器上形成涂膜而使用。
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