[发明专利]具有局部氮化涂层的活塞圈

权利要求书

1.一种活塞圈，包括：

上面；

下面；

内周壁；以及

外周壁，其绕所述活塞圈从所述上面延伸至所述下面；

其中，所述外周壁具有布置成邻近所述上面的上拐角区域、布置成邻近所述下面的下拐角区域以及沿着所述上拐角区域和所述下拐角区域之间的所述外周壁延伸的氮化转换层的带；以及

其中，所述上拐角区域和所述下拐角区域具有与所述外周壁一致的外表面；

其中，氮化转换层也封闭活塞圈的内周壁、上面以及下面；

在活塞圈上形成氮化转换层；

对活塞圈执行磨削处理，从而移除一些所述氮化转换层；以及

在所述活塞圈的外周壁上沉积PVD氮化物层。

2.根据权利要求1所述的活塞圈，其中，所述活塞圈由不锈钢制成。

3.根据权利要求1所述的活塞圈，其中，所述氮化转换层具有外表面共面于所述上拐角区域和所述下拐角区域的与所述外周壁一致的表面。

4.根据权利要求1所述的活塞圈，其中，PVD氮化物层由物理气相沉积形成并且布置在所述上拐角区域以及所述下拐角区域上。

5.根据权利要求4所述的活塞圈，其中，所述

PVD氮化物层是氮化铬以及氮化钛之一。

6.根据权利要求4所述的活塞圈，其中，所述PVD氮化物层进一步布置在所述外周壁中的所述氮化转换层上。

7.根据权利要求6所述的活塞圈，其中，所述PVD氮化物层具有的表面轮廓为对称圆筒轮廓或者非对称圆筒轮廓。

8.根据权利要求4所述的活塞圈，其中，所述PVD氮化物层延伸入所述上面和所述下面中至少一个的一部分。

9.根据权利要求6所述的活塞圈，其中，所述PVD氮化物层薄于所述外周壁中的所述氮化转换层。

10.一种制造耐裂活塞圈的方法，包括：

提供活塞圈，其中，所述活塞圈具有上面、下面、内周壁以及绕所述活塞圈从所述上面至所述下面延伸的外周壁；所述外周壁具有布置成邻近所述上面的上拐角区域、布置成邻近所述下面的下拐角区域以及环形腔室，所述环形腔室沿着所述外周壁的长度位于在所述上拐角区域和所述下拐角区域之间延伸的所述外周壁的中央部分；

在活塞圈上形成氮化转换层；

对活塞圈执行磨削处理，从而移除一些所述氮化转换层；以及

在所述活塞圈的外周壁上沉积PVD氮化物层；

其中，氮化转换层也封闭活塞圈的内周壁、上面以及下面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述活塞圈是不锈钢。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述活塞圈的所述上面和所述下面上执行梯形磨削。

13.根据权利要求11所述的方法，第二磨削包括从所述上拐角区域和所述下拐角区域移除所述氮化转换层，从而暴露底下的活塞圈。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述PVD氮化物层是氮化铬以及氮化钛之一。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在表面上沉积所述PVD氮化物层包括沉积所述PVD氮化物层在上下拐角区域之间布置于所述活塞圈的中央部分的所述氮化转换层上，以及沉积所述PVD氮化物层在底下的活塞圈的所述上拐角区域和所述下拐角区域上。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述PVD氮化物层上形成一个对称圆筒轮廓以及非对称圆筒轮廓。

17.一种活塞圈，包括：

上面；

下面；

内周壁；以及

外周壁，其绕所述活塞圈从所述上面延伸至所述下面，所述外周壁包括：上拐角区域，其布置成沿着所述外周壁的长度邻近所述上面并且具有与所述外周壁一致的外表面；下拐角区域，其布置成沿着所述外周壁的长度邻近所述下面并且具有与所述外周壁一致的外表面；以及氮化转换层的带，其布置在所述上拐角区域和所述下拐角区域之间并且沿着所述外周壁的长度延伸，并且具有的外表面共面于所述上拐角区域和下拐角区域的外表面；以及

PVD氮化物层，其布置在所述外周壁并且沿着所述外周壁的长度从所述上面延伸至所述下面，并且覆盖上拐角区域和下拐角区域和所述氮化转换层的外表面；其中，氮化转换层也封闭活塞圈的内周壁、上面以及下面；

在活塞圈上形成氮化转换层；

对活塞圈执行磨削处理，从而移除一些所述氮化转换层；以及

在所述活塞圈的外周壁上沉积PVD氮化物层。