[发明专利]具有光学隔离件的发光玻璃单元及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201480002882.3 申请日: 2014-12-23
公开(公告)号: CN104884248A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: M·贝拉尔;B·迪博;S·莫伦;M·龙代 申请(专利权)人: 法国圣戈班玻璃厂
主分类号: B32B17/10 分类号: B32B17/10;E06B3/67;F21V33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 黄念;徐厚才
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 具有 光学 隔离 发光 玻璃 单元 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.发光玻璃单元(100,300,500,700,800,1000),其包括:

-第一玻璃基板(1),由折射指数n1在550nm下小于1.6的无机玻璃构成,具有第一和第二主面(11,12)和边面(13),和与第一玻璃基板光学接触的:

-聚合物层,选自至少一种如下的元件:

-层压夹层(7),由热塑性材料构成,与着色的和/或反射元件(1’,5,5’,50,51,51’,52)相关联,和/或

-不透明聚合物包封件(90)或聚合物包封底层(91),特别地其为不透明的,位于不透明的聚合物包封件下方,

-光学隔离件,直接位于第一玻璃基板上方,并位于聚合物层下方,所述隔离件包含多孔二氧化硅层(2),其厚度e2为至少400nm,折射指数n2在550nm下至多为1.35,

-光源(4),光学耦合至第一玻璃基板,所述第一玻璃基板,称作导向玻璃板,引导由所述光源发射的光,

-光提取装置(6),与所述导向玻璃板相关联,

发光玻璃单元,额外地包含直接位于多孔二氧化硅层上方并直接位于聚合物层下方的无机和透明保护涂层(3),所述保护涂层(3)包含二氧化硅层,其厚度e3大于50nm,并且折射指数n3在550nm下至少为1.4。

2.如权利要求1的发光玻璃单元(100,300,500,700,800,1000),其特征在于层压夹层(7)为着色的和/或与由无机或有机玻璃构成的第二着色玻璃基板(1’,51’)层压,和/或具有称为连接至层压夹层的粘结面的主面并在粘结面(11’)侧或与粘结面相对的主面(12’)侧承载着色膜(51’)。

3.如权利要求1或2的发光玻璃单元(100,300,500,700,800,1000),其特征在于层压夹层(7)与由无机或有机玻璃构成的第二玻璃基板(1’,51’)、与称为连接至层压夹层的粘结面的主面层压,粘结面(11’)和/或与粘结面相对的面涂覆有装饰和/或掩蔽层(5,5’),特别是搪瓷或涂料或反射层,其位于外周并位于光学耦合侧,或为分布式的并且甚至基本上覆盖粘结面和/或相对面。

4.如权利要求1至3任一项的发光玻璃单元(100,300,500,700,800,1000),其特征在于层压夹层(7)与由无机或有机玻璃构成的第二玻璃基板,与称为连接至层压夹层的粘结面(11’)的主面层压,粘结面或相对的主面(12’)包含散射层,和/或所述第二基板为散射的,和/或散射元件位于保护涂层和层压夹层之间,特别是部分地覆盖保护涂层。

5.发光玻璃单元(200,400,600,900),其包括:

-无机或有机玻璃基板,折射指数n1在550nm下小于1.6,通过称为连接面(11)的主面经由由热塑性材料构成的层压夹层(7)层压至另一玻璃基板,

另一个玻璃基板(1’)由无机玻璃构成,具有称为层压面(11’)的第一主面,另一个玻璃基板(1’)为着色的和/或散射的和/或在与层压面相对的主面上承载着色的和/或散射的和/或反射元件(5’,50,51),

-光学隔离件,直接位于层压面(11’)上方,并位于夹层(7)下方,所述隔离件包含多孔二氧化硅层(2),其厚度e2为至少400nm,折射指数n2在550nm下为至多1.35,另一个玻璃基板(1’)称为隔离基板,

-光源(4),光学耦合至所述玻璃基板(1’),所述玻璃基板,称为导向基板,引导由光源(4)发射的光,

-光提取装置(6),与导向基板相关联,

发光玻璃单元额外地包括直接位于多孔二氧化硅层(2)上方并直接位于层压夹层下方的无机和透明的保护涂层(3),所述保护涂层(3)包含二氧化硅层,其厚度e3大于50nm,并且折射指数n3在550nm下为至少1.4。

6.如权利要求5的发光玻璃单元(200,400,900),其特征在于所述提取装置(6)位于层压侧上,与保护涂层(3)相比,更接近导向基板(1)。

7.如前述权利要求任一项的发光玻璃单元(100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000),其特征在于e3大于100nm。

8.如前述权利要求任一项的发光玻璃单元(100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000),其特征在于e3大于180nm。

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