[发明专利]透明化合物半导体及其P型掺杂方法

说明书

发明领域

本发明涉及透明化合物半导体及其制备方法，更确切地说，涉及具有透明性和导电性的P型掺杂透明化合物半导体及其P型掺杂的方法。

发明背景

目前，信息和通信技术的一个趋势是将电子器件功能和显示器件功能融合。为了融合电子器件功能和显示器件功能，电子器件应当是透明的。

因此，积极进行了对以下的研究：执行电子器件功能的同时满足透明性的透明半导体，透明导体，及其制备方法。例如，氧化铟锡(ITO)作为透明导体开发并应用，以及开发了ZnO等。然而，稳定性降低并且因此用于透明半导体的可能性也十分地有限。

发明概述

技术问题

本发明涉及提供具有透明性与导电性的P型掺杂透明化合物半导体及其制备方法。

技术方案

本发明一方面提供了P型掺杂透明化合物半导体，其具有掺杂M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一，并且(Ba,Sr)SnO₃是指Ba_1-ySr_ySnO₃(0≤y≤1.0)。

P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)Sn_1-xM_xO₃(0<x≤0.7)，M是Ru、Ga、Cu和Zn中的一种，并且(Ba,Sr)Sn_1-xM_xO₃是指Ba_1-ySr_ySn_1-xM_xO₃(0≤y≤1.0)。

P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)_1-xM_xSnO₃(0<x≤0.7)，M是K、Na和Rb中的一种，并且(Ba,Sr)_1-xM_xSnO₃是指(Ba_1-ySr_y)_1-xM_xSnO₃(0≤y≤1.0)。

P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成Sn_1-xM_xO₂(0<x≤0.7)，并且M可以是Ru。

本发明的另一方面提供P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)Sn_1-xRu_xO₃(0<x≤0.7)。

在P型掺杂透明化合物半导体中，可以通过用Ru掺杂(Ba,Sr)SnO₃来形成(Ba,Sr)Sn_1-xRu_xO₃。

本发明的又一方面提供P型掺杂透明化合物半导体，其具有组成(Ba,Sr)_1-xK_xSnO₃(0<x≤0.7)。

在P型掺杂透明化合物半导体中，可以通过用K掺杂(Ba,Sr)SnO₃来形成(Ba,Sr)_1-xK_xSnO₃。

本发明的另一方面提供P型掺杂透明化合物半导体的制备方法，通过用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一种)取代(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一中包含的(Ba,Sr)和Sn之一来进行P型掺杂。

有益效果

根据本发明实施方案的透明化合物半导体，用M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na和Rb中的一种)对未经掺杂的(Ba,Sr)SnO₃和SnO₂之一进行掺杂，因而可以获得具有透明性和导电性的P型透明化合物半导体。

附图简述

图1和图2为使用根据本发明第一示例性实施方案的透明化合物半导体制备的样品在高温下的电流电压特性曲线图。

图3和图4为使用根据本发明第一示例性实施方案的透明化合物半导体制备的样品在室温下的电流电压特性曲线图。