[发明专利]半导体晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201480002327.0 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104769704B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 田中利幸;桥本靖行;桥井友裕 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B27/06;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 秦琳,陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 加工 方法 | ||
1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，包含：
切片工序，使用线切割装置对半导体单晶锭进行切片而得到薄圆板状的晶片；
双面平坦化加工工序，同时对所述切片工序后的所述晶片的双面进行平坦化加工，在对所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围；
涂敷层形成工序，对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的一个面整体涂敷固化性材料来形成平坦的涂敷层；
第一平面磨削工序，以所述平坦化后的晶片的一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将所述晶片载置于所述台，接着利用所述磨削装置对所述晶片的另一个面进行平面磨削；
涂敷层除去工序，从所述晶片的一个面除去所述第一平面磨削工序后的所述涂敷层；以及
第二平面磨削工序，以被除去所述涂敷层后的所述晶片的另一个面抵接于所述磨削装置的台的基准面的方式将所述晶片载置于所述台，接着利用所述磨削装置对所述晶片的一个面进行平面磨削。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述线切割装置为使用了固定磨粒线的切片方式。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述双面平坦化加工工序是双面研磨处理或者双端面磨削处理。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述涂敷层形成工序中的涂敷于所述晶片表面的涂敷层的厚度为10~40μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
