[发明专利]利用频率扫描干涉仪的形状测量装置在审

专利信息
申请号: 201480001349.5 申请日: 2014-05-20
公开(公告)号: CN104380035A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 徐长一;金弘基 申请(专利权)人: 株式会社高永科技
主分类号: G01B11/24 分类号: G01B11/24;G01B9/02
代理公司: 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 代理人: 郑青松;邸岩
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 利用 频率 扫描 干涉仪 形状 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种形状测量装置,其中,包括:

光源部,用于产生光,并能够改变上述光的波长;

光分离部,用于将从上述光源部产生的光至少分离为基准光及测量光;

基准镜,用于反射上述基准光;

光接收部,用于接收上述基准光及上述测量光,上述基准光以借助上述基准镜来形成基准光程的方式反射,上述测量光以借助形成于基板上并具有光透过性的测量对象物来形成测量光程的方式反射;以及

处理部,基于借助上述光接收部来接收的上述基准光及上述测量光之间的上述光的波长的变化所带来的干涉的变化,来计算上述测量对象物的形状,并计算上述测量对象物的第一区域的绝对高度及上述测量对象物中相对于上述第一区域的第二区域的相对高度,并将上述第一区域的绝对高度及上述第二区域的相对高度相匹配,来计算上述测量对象物的形状。

2.根据权利要求1所述的形状测量装置,其中,

上述测量对象物具有粘性,当俯视观测时,上述测量对象物呈点状。

3.根据权利要求2所述的形状测量装置,其中,

上述第一区域包括上述测量对象物的最高点,上述第二区域包括位于上述最高点的周围的倾斜面上的多个倾斜点。

4.根据权利要求1所述的形状测量装置,其中,

上述基板包括基底基板、不导电层以及导电层,上述不导电层形成于上述基底基板上,并形成有至少一个孔,上述导电层与上述孔相对应,上述导电层的厚度小于上述不导电层的厚度;

上述测量对象物至少包括形成于上述导电层上的助焊剂。

5.根据权利要求4所述的形状测量装置,其中,

形成于上述导电层上的助焊剂,以能够填补上述孔的至少一部分并覆盖与上述孔相邻的上述不导电层的一部分的方式形成。

6.根据权利要求1所述的形状测量装置,其中,

上述处理部利用第一光程差和第二光程差来计算上述第一区域的绝对高度,上述第一光程差是在上述测量光中从上述测量对象物的第一区域反射的光和在上述测量光中从位于上述测量对象物周边的基准区域反射的光之间的光程差,上述第二光程差是在上述测量光中穿透上述测量对象物的第一区域后从上述导电层反射的光和在上述测量光中从上述基准区域反射的光之间的光程差。

7.根据权利要求6所述的形状测量装置,其中,

上述处理部利用第三光程差来计算上述第二区域的相对高度,上述第三光程差是在上述测量光中,在穿透上述测量对象物的第二区域后,从上述导电层反射的光及在上述测量光中从上述基准区域反射的光之间的光程差。

8.一种形状测量装置,其中,包括:

光源部,用于产生光,并能够改变上述光的波长;

第一光程变更部,用于使作为从上述光源部产生的光的至少一部分的第一光具有第一光程;

第二光程变更部,用于使作为从上述光源部产生的光的至少一部分且与上述第一光不同的第二光,借助形成于基板上的具有光透过性的测量对象物反射而具有第二光程;

光接收部,用于接收经过上述第一光程的第一光及经过上述第二光程的第二光;以及

处理部,基于借助上述光接收部来接收的上述第一光及上述第二光之间的上述光的波长的变化所带来的干涉的变化,来计算上述测量对象物的形状,并计算上述测量对象物的第一区域的绝对高度及上述测量对象物中相对于上述第一区域的第二区域的相对高度,并将上述第一区域的绝对高度及上述第二区域的相对高度相匹配,来计算上述测量对象物的形状。

9.一种形状测量装置,其中,包括:

光源部,用于产生光,并能够改变上述光的波长;

光分离部,用于将从上述光源部产生的光至少分离为基准光及测量光;

基准镜,用于反射上述基准光;

光接收部,用于接收上述基准光及上述测量光,上述基准光以借助上述基准镜来形成基准光程的方式反射,上述测量光以借助形成于特定物质的表面上的具有光透过性的测量对象物来形成测量光程的方式反射;以及

处理部,基于借助上述光接收部来接收的上述基准光及上述测量光之间的上述光的波长的变化所带来的干涉的变化,来计算上述测量对象物的形状,并基于上述测量对象物的折射率来计算出绝对高度,从而计算出形状。

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