[实用新型]半导体装置键合结构

权利要求书

1.一种半导体装置键合结构，其特征在于，所述半导体装置键合结构包括：

第一金属层，所述第一金属层表面具有第一焊垫，所述第一焊垫具有第一开口图案；

第二金属层，所述第二金属层表面具有第二焊垫，所述第二焊垫具有第二开口图案；

所述第一金属层和所述第二金属层表面键合连接，所述第一焊垫和相对应的第二焊垫上下对齐键合连接，所述第一焊垫的第一开口图案和所述第二焊垫的第二开口图案在键合接触面相互错开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述第一开口图案为一条或多条平行排列的直线条纹或折线条纹，所述第二开口图案为一条或多条平行排列的直线条纹或折线条纹。

3.根据权利要求2所述的半导体装置键合结构，其特征在于，在所述第一焊垫与所述第二焊垫键合连接时，所述第一焊垫的一条或多条平行排列的直线条纹与所述第二焊垫的一条或多条平行排列的直线条纹之间形成夹角。

4.根据权利要求2所述的半导体装置键合结构，其特征在于，在所述第一焊垫与所述第二焊垫键合连接时，所述第一焊垫的一条或多条平行排列的折线条纹的转折点朝向与所述第二焊垫的一条或多条平行排列的折线条纹的对应的转折点朝向相对。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述第一金属层的表面粗糙度低于100nm，所述第二金属层的表面粗糙度低于100nm。

6.根据权利要求1至4任一项所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述第一焊垫的尺寸为10um-50um，所述第二焊垫的尺寸为10um-50um。

7.根据权利要求2所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述第一开口图案的一条直线条纹或折线条纹的宽度为1um-20um，所述第二开口图案的一条直线条纹或折线条纹的宽度为1um-20um。

8.根据权利要求1所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述第一焊垫和第二焊垫中填充设置有铜、锡、金、铝、铜锡合金、银锡合金、锡铂合金、镍银合金或镍锡合金。

9.根据权利要求7所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述直线条纹的区域中或者所述折线条纹的区域中填充设置有铜、锡、金、铝、铜锡合金、银锡合金、锡铂合金、镍银合金或镍锡合金。

10.根据权利要求9所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述直线条纹之间的区域或者所述折线条纹之间的区域为介电材质，所述介电材质为二氧化硅、氟氧化硅、碳氟化硅或SiCOH。

11.根据权利要求3所述的半导体装置键合结构，其特征在于，所述夹角为45度至135度。