[实用新型]一种高分辨像素排布结构有效
| 申请号: | 201420870920.4 | 申请日: | 2014-12-31 | 
| 公开(公告)号: | CN204424258U | 公开(公告)日: | 2015-06-24 | 
| 发明(设计)人: | 刘嵩;李梦真 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 | 
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 | 
| 地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 分辨 像素 排布 结构 | ||
1.一种高分辨像素排布结构,包括多个像素单元,所述像素单元的排布结构包括至少两行像素单元,所述每个像素单元包括红光子像素、绿光子像素、蓝光子像素和白光子像素,其特征在于,每个像素单元的所述红光子像素和所述绿光子像素设置在所述蓝光子像素和所述白光子像素之间,相邻两行所述像素单元的蓝光子像素在行方向上的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述像素单元中所述红光子像素和绿光子像素在行方向上的投影全部或者部分重叠。
3.根据权利要求2所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述像素单元中所述红光子像素和绿光子像素在蓝光子像素上的投影不重叠。
4.根据权利要求1-3任一所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述像素单元的蓝光子像素和与其相邻行的白光子像素在行方向上的投影重叠。
5.根据权利要求4所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述像素单元为正方形。
6.根据权利要求5所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述蓝光子像素和所述白光子像素的截面为形状相同的长方形,所述绿光子像素和所述红光子像素的截面为形状相同的正方形。
7.根据权利要求6所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述长方形的长边长度大于所述正方形边长的2倍。
8.根据权利要求7所述高分辨像素排布结构,其特征在于:所述长方形的短边长度等于所述正方形的边长。
9.根据权利要求8所述高分辨像素排布结构,其特征在于:沿列方 向,相邻两行像素排布结构互呈镜像关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京维信诺科技有限公司;,未经北京维信诺科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420870920.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:减少背钝化太阳电池背面黑线的结构
 - 下一篇:硅通孔结构
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





