[实用新型]一种金属电极制造装置有效
| 申请号： | 201420870469.6 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN204424217U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王耀华;赵哿;刘江;刘钺杨;高明超;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属电极 制造 装置 | ||
1.一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，其特征在于：所述载片台(1)中心设有方形孔，金属掩膜罩(2)跨放在所述方形孔上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)纵剖面为延长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；硅片上设有芯片，所述芯片包括元胞区、终端区和焊盘区；所述元胞区、终端区和焊盘区均包括N型衬底设置在N型衬底表面并行排列的场氧化层和栅氧化层、在场氧化层和栅氧化层的表面覆盖有多晶硅层、在所述多晶硅层的表面覆盖有层间介质ILD，在层间介质ILD的表面覆盖有金属电极所述金属电极包括沟槽形状的沟槽发射极，所述发射极为厚金属电极，所述金属掩膜罩(2)依据所述芯片的发射极的形状制备。
2.如权利要求1所述的一种金属电极制造装置，其特征在于：下表面分布有芯片的硅片(3)嵌设于所述金属掩膜罩(2)的凹槽内，所述凹槽纵剖面为阶梯型，所述金属掩膜罩(2)置于可调载片台(1)上，所述盖板(4)罩设于所述金属掩膜罩(2)且其内表面与硅片(3)上表面贴合，所述固定件(5)为一端设于所述载片台(1)上且另一端压设于所述盖板(4)上的弹簧片。
3.如权利要求1所述的一种金属电极制造装置，其特征在于：所述金属掩膜罩(2)采用不锈钢或铝合金材料，所述金属掩膜罩(2)厚度为20～200um。
4.如权利要求2所述的一种金属电极制造装置，其特征在于：所述金属掩膜罩(2)的凹槽的纵剖面的阶梯高10～100um。
5.如权利要求2所述的一种金属电极制造装置，其特征在于：所述金属掩膜罩(2)的凹槽底面对应硅片(3)上芯片的电极位置设有通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
