[实用新型]一种贴片二极管的整形装置有效
| 申请号: | 201420858368.7 | 申请日: | 2014-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN204332917U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
| 发明(设计)人: | 谢丽华 | 申请(专利权)人: | 常州银河电器有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人: | 夏海初 |
| 地址: | 213022 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 二极管 整形 装置 | ||
1. 一种贴片二极管的整形装置,其特征在于,包括:
一底板(1);
一支架组件(2);所述支架组件(2)包括左支架(2-1)和右支架(2-2),所述左支架(2-1)和右支架(2-2)有间距分开布置,且均与底板(1)固定连接,所述右支架(2-2)的外侧面有用来夹持贴片二极管的L型夹持槽(2-2-1);
一整形夹持组件(3);所述整形夹持组件(3)包括电磁铁(3-1)、衔铁(3-2)、整形夹持板(3-3)和整形拉杆(3-4),所述电磁铁(3-1)固定在左支架(2-1)的内侧面上,衔铁(3-2)和整形夹持板(3-3)分别位于右支架(2-3)的两侧,且电磁铁(3-1)与衔铁(3-2)相对布置,整形夹持板(3-3)设在右支架(2-2)外侧面的台阶(2-2-2)上,所述整形拉杆(3-4)穿过衔铁(3-2)、右支架(2-2)和整形夹持板(3-3),并与右支架(2-2)滑移相配装,整形拉杆(3-4)的一端通过台阶与衔铁(3-2)相抵接,而其另一端通过台阶与整形夹持板(3-3)相抵接,
在工况下,驱动电磁铁(3-1)吸合衔铁(3-2),并通过整形拉杆(3-4)带动整形夹持板(3-3)移动,使得整形夹持板(3-3)与右支架(2-2)之间产生挤压力,而对放置在夹持槽(2-2-1)内的贴片二极管实施外观整形。
2. 根据权利要求1所述的贴片二极管的整形装置,其特征在于:所述左支架(2-1)通过支撑板(2-3)与电磁铁(3-1)固定连接,所述支撑板(2-3)有两个支耳(2-3-1),支撑板(2-3)通过两个支耳(2-3-1)与左支架(2-1)固定连接。
3. 根据权利要求1或2所述的贴片二极管的整形装置,其特征在于:所述左支架(2-1)呈L型。
4. 根据权利要求1或2所述的贴片二极管的整形装置,其特征在于:还包括与电磁铁(3-1)连接的电源模块(4),所述电源模块(4)有两种结构形式,一种结构形式是直流电压模块,另一种结构形式是由依次电连接的开关(4-1)、整流电路(4-2)和滤波电路(4-3)构成的电源模块,且直流电压模块或滤波电路(4-3)均是与电磁铁(3-1)电连接的。
5. 根据权利要求4所述的贴片二极管的整形装置,其特征在于:所述整流电路(4-2)是由四个二极管构成的桥式整流电路,滤波电路(4-3)由滤波电容C和电感L构成的并联电路,开关(4-1)的一端与220V交流电的一端电连接,开关(4-1)的另一端与桥式整流电路的第一连接端a电连接,桥式整流电路的第二连接端b与滤波电容C和电感L构成的并联电路的一端电连接,桥式整流电路的第三连接端c与220V交流电的另一端电连接,桥式整流电路的第四连接端d与滤波电容C和电感L构成的并联电路的另一端电连接,电磁铁(3-1)的两端并联在滤波电容C和电感L构成的并联电路的两端。
6. 根据权利要求1所述的贴片二极管的整形装置,其特征在于:所述整形拉杆(3-4)的中间段的直径大于其两端直径,且整形拉杆(3-4)的大直径段与右支架(2-2)滑移相配装。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州银河电器有限公司,未经常州银河电器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420858368.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种插片机及其定位盒
- 下一篇:肠道病毒71型乳胶凝集检测试剂盒制备及应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





