[实用新型]晶圆托盘结构有效
申请号: | 201420853820.0 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN204391078U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 白英宏;张继允 | 申请(专利权)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆托盘结构,特别是涉及一种可提升晶圆片的散热效率与温度均匀性的晶圆托盘结构。
背景技术
在半导体制造程序中,现有习知晶圆托盘常会遇到散热效果不佳或不均匀的问题。晶圆片在历经一段加工制造程序后,会产生吸热温升现象,此时晶圆片的高温必须获得适当的冷却降温,否则将会产生形变而影响其表面平坦度,进而影响了晶圆产出的正品率。
如图1所示,其为现有习知的一种晶圆托盘结构的立体示意图。现有习知的晶圆托盘结构100主要是由托盘本体10与多个晶圆平台20所组成。晶圆平台20凸出形成于托盘本体10的表面11上,而晶圆片被置放于晶圆平台20的容置面21上,以进行半导体制造程序。
如图2所示,其为图1的A-A’间的剖面图。现有习知的托盘本体10的表面11与晶圆平台20的容置面21是为平坦表面,因此,在半导体制造程序的散热过程中,常会遇到一个问题就是,置于晶圆平台20上的晶圆片的散热效能不佳,甚至晶圆片会有散热不均匀的现象。
因此,一种可提升晶圆片的散热效能的创新晶圆托盘结构便有应运而生的急迫需求。
有鉴于上述现有的晶圆托盘存在的问题,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新型结构的晶圆托盘结构,能够解决现有的晶圆托盘存在的问题,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆托盘结构,将托盘本体的表面设计为不平整表面,以及将晶圆平台的容置面设计为粗糙表面,借以形成更大的表面积而能产生更有效率的热传导,进而提升晶圆片的散热效率与温度均匀性。
本实用新型的目的是采用以下的技术方案来实现的。本实用新型提出一种晶圆托盘结构,其包括:托盘本体,具有表面;以及多个晶圆平台,凸出形成于该表面上,至少一个该晶圆平台具有粗糙表面。
本实用新型的目的还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
较佳的,前述的晶圆托盘结构,其中所述的表面为不平整表面。
较佳的,前述的晶圆托盘结构,其中所述的不平整表面包括多个凸部或凹部。
较佳的,前述的晶圆托盘结构,其中所述的粗糙表面包括多个凸部或凹部。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本实用新型晶圆托盘结构至少具有下列优点及有益效果:
一、使托盘本体与晶圆平台产生更有效率的热传导。
二、使晶圆片的散热效果更佳。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为现有习知的一种晶圆托盘结构的立体示意图;
图2为图1的A-A’间的剖面图;
图3为本实用新型较佳实施例的一种晶圆托盘结构的立体示意图;
图4为图3的B-B’间的剖面图;
图5为图4的局部放大图;
图6A与图6B为图5的凸部的其他实施例;以及
图7A至图7C为凹部的各种实施例。
【主要元件符号说明】
100、200:晶圆托盘结构 10、30:托盘本体
11、31:表面 20、40:晶圆平台
21、41:容置面 32、42:三角形凸部
43:半圆形凸部 44:方形凸部
45:三角形凹部 46:半圆形凹部
47:方形凹部
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的一种晶圆托盘结构其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
如图3所示,本实施例为一种晶圆托盘结构200,其包括:托盘本体30以及多个晶圆平台40。
托盘本体30为了能形成更大的表面积以利散热,因此可将托盘本体30的表面31设计为不平整表面31,如此可以产生更有效率的热传导。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造