[实用新型]低方阻透明导电薄膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，特别是涉及一种低方阻透明导电薄膜。

背景技术

透明导电薄膜是集导电性能和光学透明性能于一体的薄膜材料，由于其优异的电导及光学性能成为近年来各领域研究的热点，可广泛应用在触控式面板、液晶显示器、太阳能电池、LED等屏幕显示领域，也可应用于电磁波屏蔽材料中。随着用户对器件性能要求的提高，用在器件中的透明导电薄膜的性能要求也在不断的提高。

透明导电薄膜一般可通过干法或者湿法这两种工艺流程制备而成。干法即为通过溅射法、真空蒸镀法等，将氧化锡、氧化铟或者两者的混合物等覆盖在透明基材表面，从而而形成透明导电薄膜。湿法即为在透明基材表面涂布导电性高分子材料，从而形成透明导电薄膜；目前最常用的导电性高分子材料有聚苯胺、聚噻吩等。然而，通过这两种工艺制备而成的透明导电薄膜都有一定的缺陷，例如，通过干法制备的透明导电薄膜易在加工制备过程中产生裂纹，致使其表面方阻变大；而通过湿法制备的透明导电薄膜，可能因为导电性高分子材料的涂布不均匀而出现导电性、调色不均匀等现象。并且，目前市场上的透明导电薄膜的方阻约为200Ω/□，方阻高，不利于应用在上述屏幕显示等领域。

鉴于此，现在亟需一种具有低方阻的透明导电薄膜。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种低方阻透明导电薄膜，用于解决现有技术中透明导电薄膜方阻高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种低方阻透明导电薄膜，其中，所述低方阻导电薄膜至少包括：

透明基材；

位于所述透明基材上的具有沟槽的粘接层；

位于所述沟槽内的金属化物质；

位于所述粘接层及所述金属化物质上的高分子导电层。

优选地，所述粘接层为紫外固化胶层或者丙烯酸系粘合剂层。

优选地，所述金属化物质为固化后的银浆或者铜金属。

优选地，所述高分子导电层为聚乙撑二氧噻吩层。

优选地，所述粘接层的厚度为5μm～20μm，所述沟槽的深度为2μm～10μm，所述高分子导电层的厚度为2μm～10μm。

优选地，所述透明基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯基材。

如上所述，本实用新型的低方阻透明导电薄膜，具有以下有益效果：

本实用新型的低方阻透明导电薄膜，结构简单，环保高效，且成本较低，方阻可低至10Ω/□以下，导电性、调色更均匀，可广泛应用在触控式面板、液晶显示器、太阳能电池、LED等屏幕显示领域，也可应用于电磁波屏蔽材料中。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例的低方阻透明导电薄膜的剖面结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例的低方阻透明导电薄膜的制备方法的流程示意图。

图3～图5显示为本实用新型实施例的低方阻透明导电薄膜的制备方法的剖面结构示意图。

图6～图8显示为本实用新型实施例的低方阻透明导电薄膜的制备方法的剖面结构示意图。

元件标号说明

10      透明基材

20      粘接层

21      沟槽

30      金属化物质

40      高分子导电层

50      铜种子层

S1～S4  步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1，本实用新型的实施例涉及一种低方阻透明导电薄膜。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本实施例的低方阻导电薄膜至少包括：透明基材10；位于透明基材10上的具有沟槽21的粘接层20；位于沟槽21内的金属化物质30；位于粘接层20及金属化物质30上的高分子导电层40。

其中，粘接层20为紫外固化胶层或者丙烯酸系粘合剂层。在本实施例中，粘接层20为紫外固化胶层。