[实用新型]一种GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201420846907.5 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN204289495U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 | ||
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构依次包括：
衬底；
位于衬底上的氮化物缓冲层；
位于氮化物缓冲层上的N型GaN层；
位于N型GaN层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括InxGa(1-x)N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层；
位于多量子阱层上的P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱层包括3～20组量子阱层。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述氮化物缓冲层为GaN缓冲层或AlN缓冲层。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格结构层为由AlN层与GaN层交替堆叠组成的超晶格结构、或GaN层与AlN层交替堆叠组成的超晶格结构。
5.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格结构层中AlN层与GaN层的层数分别为1～10层。
6.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlN/GaN超晶格结构层中，每个AlN层的厚度为1～20A，每个GaN层的厚度为1～20A。
7.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述InxGa(1-x)N势阱层中x的取值为5％～30％，InxGa(1-x)N势阱层的厚度为2nm～5nm。
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