[实用新型]一种大容量固态存储板有效

专利信息
申请号: 201420836000.0 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN204537110U 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 张硕 申请(专利权)人: 睿能科技(北京)有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
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地址: 100089 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 容量 固态 存储
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种存储板,尤其是一种大容量固态存储板。

背景技术

大容量存储板的主要应用领域是数据的实时存储,随着数字信号处理技术的发展,ADC采样速率原来越高,从原来的兆赫兹级发展到现在的吉赫兹级,为了能够实时对采集数据的实时存储,要求具有较大的存储容量和较快的存储速度,能够将采集的数据实时写入、将存储的数据实时写出。因此,大容量存储板应同时具备存储容量和读写速率两个指标。目前较多采用的方案是磁盘阵列和固态存储,其中磁盘阵列的容量可以扩展到很大,但是读写速率相对较窄,并且需要占用较大的空间放置磁盘,固态存储板则相对轻便小巧,但是同时具备大存储容量和高读写速率的难度较大,尤其是采用单板实现大容量存储,需要精心的方案设计和优化。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大容量固态存储板,采用SLC NAND FLASH阵列,同时实现1TB存储容量和1GBPs读写速率,集成在一块6U VPX标准板卡上,具备容量大、速率快、可靠性高、体积小和功耗低的特点。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:固态存储板上有1片FPGA,连接4个NAND FLASH阵列,每个阵列由16片16GB的SLC NAND FLASH芯片组成,最小存储单位为256MB,用FPGA代码实现NAND FLASH阵列控制器,功能包括:坏块检测、坏块管理、流水线管理、主控、ECC编解码、物理接口时序等。NAND FLASH存储阵列采用滚筒存储方式,每次开始记录数据时,存储数据的首地址接着上一次存储数据的末地址,全部存满后,从头开始记录数据,以保证各个NAND FLASH芯片的编程次数尽量均等,从而延长使用寿命。板卡数据接口为GTH高速口,实现数据的存入和读出,通信接口为千兆以太网口,实现板卡控制和管理。

本实用新型的有益效果是,本实用新型方案通过精心设计,在1块6U VPX板卡上实现的1TB存储容量和1GBPs读写速率,使用SLC NAND FLASH提高了存储的可靠性,方案结构清晰、易于实现,在满足存储容量和读写速率需求的同时,充分兼顾体积和功耗,确保存储板的实用性。

附图说明

大容量固态存储板组成框图。

图中1.NAND FLASH阵列,2.FPGA,3.数据接口,4.通信接口。

具体实施方式

为了能够更清楚的理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明。

请参阅图1所示。一种大容量固态存储板,存储单元为4个NAND FLASH阵列(1),每个阵列容量为256GB,总共容量1TB。FPGA(2)实现控制器,完成坏块检测、坏块管理、流水线管理、主控、ECC编解码、物理接口时序等工作,数据读写通过数据接口(3)实现,具体实现方式为6TH高速接口,板卡的控制与管理通过通信接口(4)实现,具体实现方式为千兆以太网。

本实用新型以NAND FLASH阵列加FPGA控制器的结构,在1块6U VPX板卡上实现了1TB存储容量和1GBPs存储速率,存储板容量大、速率高、工作可靠、性能稳定,具备非常好的实用性。

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