[实用新型]一种基于单片机的智能电抗器

权利要求书

1.一种基于单片机的智能电抗器，包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键；其特征在于，所述采样电路的输入端连接负载，采样电路的输出端连接信号处理电路的输入端、信号处理电路的输出端连接单片机、所述单片机还分别连接电源、外设按键和驱动电路，所述驱动电路还连接电抗器组，电抗器组还连接负载电路；

所述驱动电路包括MOS管Q、三极管VT1、三极管VT2、和三极管VT3，MOS管Q的漏极连接二极管D1的负极、二极管D8的负极、二极管D9的正极、三极管VT2的集电极和电抗器组，二极管D9的负极连接电阻R5和三极管VT4的集电极，MOS管Q的源极连接二极管D1的正极和电位器RP1的一个固定端，MOS管Q的栅极连接电阻R2、二极管D2的正极和二极管D3的负极，二极管D2的负极连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电阻R2的另一端、电阻R3、二极管D4的正极、三极管VT2的发射极和三极管VT3的集电极，二极管D3的正极连接三极管VT1的集电极，三极管VT1的发射极连接电位器RP1的滑动端、电位器RP1的另一个固定端，电阻R3、电阻R7、二极管D5的正极、电容C1和三极管VT3的发射极并接地，二极管D4的负极连接二极管D5的负极，三极管VT1的基极连接二极管D7的正极，二极管D7的负极连接电阻R6、电阻R7的另一端、电容C1的另一端和二极管D8的正极，三极管VT2的基极连接电阻R4和三极管VT3的基极，电阻R4的另一端连接二极管D6的正极和三极管VT4的发射极，三极管VT4的的基极连接电阻R5的另一端和单片机，所示MOS管Q为N沟道增强型。

2.根据权利要求1所述的一种基于单片机的智能电抗器，其特征在于，所述信号处理电路包括滤波电路过和放大电路。

3.根据权利要求1所述的一种基于单片机的智能电抗器，其特征在于，所述单片机的型号为AT89S52。

4.根据权利要求1所述的一种基于单片机的智能电抗器，其特征在于，所述电抗器组为集合式电抗器组。