[实用新型]一种耳机接口有效
申请号: | 201420832713.X | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN204291319U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 袁永贵;周卫国 | 申请(专利权)人: | 北京握奇智能科技有限公司 |
主分类号: | H04R1/10 | 分类号: | H04R1/10;H04R3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耳机 接口 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子设备领域,特别是涉及一种耳机接口。
背景技术
具有音频功能的个人便携设备中,一般都需要设有耳机接口来插接耳机,比如,最为常见的包括手机或PAD等移动终端,一般都会设有耳机接口。
随着互联网技术和移动终端设备的广泛使用,借助网络实现资金支付、融通和信息中介服务的互联网金融得到了飞速的发展。为了提高互联网金融应用的安全性和广大互联网用户生活的便利性,各信息安全领域以及互联网应用终端公司纷纷推出了用于手机、PAD等平台的外部设备,如音频刷卡器,音频Key等。
音频刷卡器,音频Key通过复用移动终端的耳机接口,将插入耳机接口的音频刷卡器,音频Key等外部设备与移动终端内的信号处理模块电路连接,从而实现外部设备与移动终端的数据交互。
发明人经过研究发现,由于现有技术中的耳机接口设计,移动终端内的电器元件会存在一定的过电烧毁的几率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种耳机接口,以实现减少移动终端内电器元件过电烧毁几率的目的。
本实用新型实施例提供了一种耳机接口,包括:耳机插孔、接入电路和信号处理模块;
所述耳机插孔与插入的耳机或与所述耳机同规格的外部设备适配,以实现电路连接;
所述耳机插孔通过所述接入电路和所述信号处理模块连接;
所述接入电路包括用于连接左右声道的信号发送分路,所述信号发送分路串联设有第一NMOS管。
优选的,在本实用新型实施例中,所述耳机插孔包括:
3.5mm标准的耳机插口,或,2.5mm标准的耳机插口。
优选的,在本实用新型实施例中,所述第一NMOS管串联设于所述信号发送分路中的直流隔离模块和电压偏置模块之间。
优选的,在本实用新型实施例中,还包括:
所述接入电路包括用于切换MIC连接和GND连接的切换分路,所述切换分路串联设有第二NMOS管。
优选的,在本实用新型实施例中,所述第二NMOS管串联设于所述切换分路中的直流隔离模块和所述信号处理模块之间。
在本申请中,发明人经过研究发现,移动终端内电器元件过电烧毁的原因包括有由耳机接口引入的静电干扰;比如,移动终端在用户的携带和使用过程中,当用户由于外界环境等因素携带有大量静电时,由于移动终端的耳机接口外露于移动终端的外壳,所以用户所携带的静电就很可能经由耳机接口进入移动终端内,从而造成移动终端内电器元件的过电烧毁。为了避免上述原因所造成的电器元件的过电烧毁,在本实用新型中,通过在接入电路中串联NMOS管的方式,来防止静电对于移动终端内电器元件的破坏。由于在本实用新型实施例中,NMOS管串联于直流隔离模块和其他移动终端的元器件之间,所以经由耳机接口进入的静电将无法干扰和破坏移动终端内的元器件。本实用新型实施例中的耳机接口,在不影响耳机接口的音频输入输出功能和移动终端与外部设备的通信功能的前提下,有效地提升了移动终端的防静电干扰能力。此外,由于仅仅增加了NMOS管,所以成本较低。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请中所述耳机接口的结构示意图;
图2为本申请中所述耳机接口的又一结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
为了实现减少移动终端内电器元件过电烧毁几率的目的,在本申请中提供了一种耳机接口,如图1所示,包括:耳机插孔01、接入电路和信号处理模块03;
耳机插孔01与插入的耳机或与耳机同规格的外部设备适配,以实现电路连接;耳机插孔01通过接入电路和信号处理模块03连接;接入电路包括用于连接左右声道的信号发送分路02,信号发送分路02串联设有第一NMOS管22。
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