[实用新型]遮蔽框组件及基板处理装置有效
| 申请号: | 201420830436.9 | 申请日: | 2014-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN204361058U | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
| 发明(设计)人: | 林昶 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 遮蔽 组件 处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示器技术领域,特别是涉及一种遮蔽框组件及用于化学气相沉积的基板处理装置。
背景技术
化学气相沉积经数十年的发展,已成为半导体及薄膜晶体管液晶显示器制作过程中最主要的薄膜沉积方法。
在化学气相沉积的工艺腔室中,基板(比如玻璃基板)的边缘和背面以及腔室内部组件必须受到保护,以免其受到沉积。因此,需要在基板周围放置遮蔽框,以避免沉积所用的等离子体达到基板的边缘和背面,并保证在整个处理期间,将基板保持在支撑构件上。
一般的,遮蔽框和基板接触,在接触过程中,遮蔽框可能刮伤基板或使基板破裂。且在处理期间,基板和遮蔽框经过热胀冷缩,会在基板和遮蔽框两者之间产生机械应力,易造成基板的损坏。
实用新型内容
基于此,有必要针对基板的破裂和损坏的问题,提供一种遮蔽框组件及基板处理装置。
一种遮蔽框组件,用于遮蔽基板,所述遮蔽框组件包括四个扇片,所述遮蔽框组件还包括用于将相邻所述扇片分别连接形成一框架的四个连接座,和用于将所述扇片安装到所述连接座的固定件,所述连接座包括连接相邻的所述扇片的连接片、第二凸出部和第三凸出部,其中,所述连接片包括第一表面和第二表面,所述第二凸出部和所述第三凸出部设置在所述第二表面上,且所述第二凸出部和所述第三凸出部之间形成一用于和基板相配合的容纳部。
在其中一个实施例中,所述连接片的第一表面上还设有与固定于连接座上的扇片贴合的第一凸出部,所述第一凸出部在所述第一表面上的投影的面积小于所述第一表面的面积。
在其中一个实施例中,所述遮蔽框组件还包括用于遮盖相邻的所述扇片相连接所形成的缝的遮盖件。
在其中一个实施例中,所述第一表面上开设有第一固定件导孔,所述第一固定件导孔和所述固定件相配合。
在其中一个实施例中,所述第一表面上开设有第一固定件导孔,所述第一固定件导孔和所述固定件相配合。
在其中一个实施例中,所述第二凸出部包括第一支撑部和沿所述第一支撑部的垂直方向且从所述第一支撑部的一端延伸出来的第二支撑部,所述第三凸出部包括第三支撑部和沿所述第三支撑部的垂直方向且从所述第三支撑部的一端延伸出来的第四支撑部。
在其中一个实施例中,所述扇片包括第一基片和位于所述第一基片下方的第二基片,且所述第二基片的长度小于所述第一基片的长度。
在其中一个实施例中,所述第二基片的高度和所述连接片的厚度相等,所述连接片的厚度为所述第一表面和所述第二表面之间的垂直高度。
在其中一个实施例中,所述第一基片上开设有第二固定件导孔,所述第二固定件导孔和所述固定件相配合。
本实用新型还提供一种基板处理装置,包括基座和位于所述基座上的基板,还包括上述遮蔽框组件,所述遮蔽框组件的扇片覆盖所述基板的边缘,所述基板的四个角与所述遮蔽框组件中的所述第一凸出部和所述第二凸出部之间的容纳部相配合。
上述遮蔽框组件和基板处理装置,通过连接座,将扇片连接在一起,且使用固定件将扇片安装在连接座上,只要通过将固定件拆卸,就可以将通过连接座连接的扇片拆卸,减轻遮蔽框组件的重量,此外,连接片的第二表面上设置有第二凸出部和第三凸出部,且第二凸出部和第三凸出部之间形成容纳部,基板的角可以卡在第二凸出部和第三凸出部之间形成的容纳部中,从而使得基板在遮蔽框组件的容纳部中受到保护,通过减轻遮蔽框组件的重量和调整基板和遮蔽框组件之间的接触,降低基板破裂和损坏的可能性。
附图说明
图1为本实用新型遮蔽框组件的一实施例的俯视图;
图2为本实用新型遮蔽框组件的一实施例的侧视图;
图3为图1中所示遮蔽框组件的连接座的结构示意图;
图4为图1中所示遮蔽框组件的扇片的侧视图;
图5为图1中所示遮蔽框组件的扇片的俯视图;
图6为本实用新型基板处理装置的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





