[实用新型]单层多点电容屏有效

专利信息
申请号: 201420826452.0 申请日: 2014-12-23
公开(公告)号: CN204347806U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 唐根初;刘伟;蒋芳 申请(专利权)人: 深圳欧菲光科技股份有限公司;南昌欧菲光科技有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;黄健
地址: 518106 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 单层 多点 电容
【权利要求书】:

1.一种单层多点电容屏,其特征在于,包括:

多个第一电极、多个第二电极、多个与第一电极连接的第一引线、多个和第二电极连接的第二引线以及多根跳线导线;

所述第一电极的数量和所述第一引线的数量相同,所述第二电极的数量与第二引线的数量相同;

所述多个第二电极分N列排列,每列包括M个所述第二电极;

位于最外侧的一列第二电极的第二引线分别与对应的所述跳线导线的末端电性连接,其他的第二引线与所述跳线导线相交,且相交的部分覆设有绝缘层;

所述绝缘层上设有穿孔,所述穿孔正对所述其他的第二引线的末端,所述其他的第二引线通过所述穿孔与对应的所述跳线导线电性连接;

其中,所述跳线导线的数量与每列所述M个第二电极对应的M根第二引线中与跳线导线电性连接的第二引线的数量相同。

2.根据权利要求1所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述第一引线与所述跳线导线相交的部分覆设有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述绝缘层的厚度大于或等于0.1微米且小于或等于30微米。

4.根据权利要求3所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述绝缘层的厚度大于或等于2微米且小于或等于20微米。

5.根据权利要求4所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述绝缘层包括多块子绝缘层,各所述子绝缘层分别覆设在所述第二引线与所述跳线导线相交的多个位置;或者,

所述绝缘层为一整块绝缘层,所述一整块绝缘层覆盖所有所述第二引线与所述跳线导线相交的部分。

6.根据权利要求1所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述M根跳线导线全部布设在所述第一电极和所述第二电极的同侧,或者,

所述M根导线中的一部分布设在所述第一电极和所述第二电极的一侧,所述M根导线中的另一部分布设在所述第一电极和所述第二电极的另一侧。

7.根据权利要求1-6任一项所述的单层多点电容屏,其特征在于,还包 括:

基板和压印胶;

所述压印胶上包括沟槽;

所述沟槽中填充导电材料,所述导电材料用于形成所述第一电极、所述第二电极、所述第一引线、所述第二引线。

8.根据权利要求7所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述压印胶上由沟槽划分的网格为正多边形或随机网格。

9.根据权利要求1所述的单层多点电容屏,其特征在于,所述穿孔的边长大于或等于0.1毫米。

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