[实用新型]大功率薄型贴面封装二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，特别是大功率薄型贴面封装二极管。

背景技术

目前，大功率薄型贴面封装二极管的发展非常迅速，随着产品线路板小型化的发展趋势，要求大功率薄型贴面封装二极管在满足大功率、小体积的前提下，同时提高正向浪涌能力。

现有的大功率薄型贴面封装二极管，主要由环氧塑封体、硅芯片、上料片、下料片组成。硅芯片通过焊料焊接在上料片与下料片之间，硅芯片与两料片除两料片引出端端头外均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，上料片采用圆状凸点与硅芯片焊接。该结构在保证产品性能的同时使产品整体尺寸缩小，满足了大功率、小体积的二极管发展趋势，但产品存在正向浪涌能力不够，焊接质量差等问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提高大功率薄型贴面封装二极管的正向浪涌能力和焊接质量。

为此，本实用新型所采用的技术方案为：一种大功率薄型贴面封装二极管，包括上料片(1)、下料片(2)和硅芯片(3)，所述硅芯片(3)通过焊料焊接在上料片(1)与下料片(2)之间，除上料片(1)的引出端头、下料片(2)的引出端头外，所述上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)均封装在环氧树脂注塑成的塑封体(4)内，其特征在于：所述上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接，在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b)，在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c)，且外展片(1c)高于方形凸面(1a)。

作为上述方案的优选，所述方形凸面(1a)另外两侧的居中位置处设置有缺槽(1d)，能有效地增强上料片的抗机械应力能力。

本实用新型的有益效果：在上料片上将原圆形凸面变为方形凸面，可有效增加上料片与硅芯片的焊接面积，从而提高产品的正向浪涌能力；增设外展片和焊锡上溢孔，使焊锡熔化后向预定位置延展，提升焊接质量；进一步，增设缺槽以增强上料片的抗机械应力能力，从而有效地提升整个产品的性能。

附图说明

图1是本实用新型的透视效果图。

图2是图1的俯视图。

图3是图1中上料片的结构示意图。

图4是图1中下料片的结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明：

结合图1—图4所示，一种大功率薄型贴面封装二极管，主要由上料片1、下料片2、硅芯片3和塑封体4四部分组成。硅芯片3通过焊料焊接在上料片1与下料片2之间，除上料片1的引出端头、下料片2的引出端头外，上料片1、下料片2、硅芯片3均封装在环氧树脂注塑成的塑封体4内，以上所述与现有技术相同，在此不再赘述。

区别在于：为了增大上料片1与硅芯片3的焊接面积，上料片1通过向下的方形凸面1a与硅芯片3焊接。为了提升焊接质量，在方形凸面1a的中部设置有焊锡上溢孔1b，焊锡上溢孔1b最好为圆形孔，也可以是椭圆形孔或方形孔；在方形凸面1a远离上料片1引出端的一侧设置有外展片1c，且外展片1c高于方形凸面1a，外展片1c最好为矩形，但不限于矩形，也可以是方形。

另外，为了增强上料片1的抗拉能力，方形凸面1a另外两侧的居中位置处还设置有缺槽1d，缺槽1d最好为半圆形，也可以是矩形等。硅芯片8最好为肖特基硅芯片，上料片1和下料片2均为铜片。

优选尺寸如下：方形凸面1a的宽度为1.0mm，焊锡上溢孔1b的半径为0.2mm，外展片1c的长度为0.5mm、宽度为1.0mm，缺槽1d的半径为0.15mm。

通过在上料片1上将原圆形凸面变为方形凸面，能增大上料片1与硅芯片3的焊接面积，假定圆形凸面的直径为1mm，则其焊接面积为(0.25π)mm²；若设计为方形凸面，假定边长仍为1mm，则其面积为1mm²，焊锡上溢孔1b半径为0.2mm，则其面积为(0.04π)mm²，两侧缺槽1d为半圆形，半径为0.15mm，则其面积为(0.0215π)mm²，所以面积增大为(1-0.04π-0.0215π-0.25π≈0.0214mm²)，因此，使用原圆形凸面上料片的产品正向浪涌极限能力在250A(8.3ms单次脉冲)左右，使用新型结构的上料片的产品正向浪涌能力在280A(8.3ms单次脉冲)左右，可有效提升正向浪涌能力约12％。