[实用新型]一种双边沿触发电路有效

专利信息
申请号: 201420806638.X 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN204349940U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 杨健;姚毅;张见;荣忠祥;冯娜 申请(专利权)人: 上海凌云天博光电科技有限公司
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 201807 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双边 触发 电路
【说明书】:

技术领域

本公开涉及电路领域,尤其涉及一种双边沿触发电路。

背景技术

ISP(In-System Programming,在线编程)技术是一种广泛应用在单片机中的技术。通过ISP技术,能够通过简单的下载线直接为单片机芯片写入或者擦除程序,并支持在线调试,从而不需要编程器就可以实现对单片机芯片的开发。因此,具有ISP功能的单片机芯片可以直接焊接在电路板上,避免了在对单片机芯片进行调试时,频繁插入、取出单片机芯片对单片机芯片和电路板带来的不便,在单片机芯片领域得到了广泛的应用。

当通过ISP技术开发单片机芯片时,需要触发ISP程序。现有技术中在触发ISP程序时,采用的传统方法通常是对单片机进行插拔电处理,使单片机的业务中断,然后将单片机与外接的电路相连接,向单片机输入特定的触发信号,以便触发单片机进入ISP模式。当单片机进入ISP模式后,再为单片机供电,使单片机开始工作。

但是,发明人发现,采用传统方法触发单片机进入ISP模式时,单片机的业务会发生中断,降低单片机的工作效率。

实用新型内容

为克服相关技术中存在的问题,本公开提供一种双边沿触发电路。

为了解决上述技术问题,本实用新型实施例公开了如下技术方案:

根据本公开实施例的第一方面,提供一种双边沿触发电路,包括:互相连接的电压选通控制电路和比较分压电路,其中,

所述电压选通控制电路分别与外接电路和第一基准电源相连接,所述电压选通控制电路接收所述外接电路传输的输出信号,将所述输出信号转化成控制信号,并将所述控制信号传输至所述比较分压电路;

所述比较分压电路与第二基准电源相连接,在接收到所述电压选通控制电路输出的所述控制信号后,所述比较分压电路将所述控制信号与所述第二基准电源提供的基准电压相比较,产生相应的触发信号,并将所述触发信号传输至单片机。

结合第一方面,在第一方面第一种可能的实现方式中,所述电压选通控制电路包括:左控制电路、右控制电路和选通比较电路,其中,

所述左控制电路分别与外接电路,以及第一基准子电源相连接,在接收到所述外接电路产生的输出信号后,所述左控制电路根据所述输出信号,产生相应的下降沿波形或上升沿波形,其中,所述第一基准电源包括所述第一基准子电源;

所述右控制电路分别与外接电路,以及第二基准子电源相连接,在接收到所述外接电路产生的输出信号后,所述右控制电路根据所述输出信号,产生与所述左控制电路相反的波形,其中,若所述左控制电路产生下降沿波形,则所述右控制电路产生上升沿波形,若所述左控制电路产生上升沿波形,则所述右控制电路产生下降沿波形,所述第一基准电源包括所述第二基准子电源;

所述选通比较电路分别与所述左控制电路,以及右控制电路相连接,在接收到所述左控制电路和右控制电路产生的波形后,所述选通比较电路对所述波形进行选通处理,并输出控制信号。

结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述左控制电路包括:第六电阻、第五电容、第三电容、第四电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第四电阻、第七电阻、第七电容和第十电阻,其中,

所述第六电阻的第一端与所述外接电路相连接,接收所述单片机传输的所述输出信号,所述第六电阻的第二端与所述第五电容的第一端,以及所述第二NMOS管的栅极相连接;

所述第五电容的第一端与所述第六电阻的第二端相连接,所述第五电容的第二端接地;

所述第二NMOS管的漏极与所述第四电容的第二端,以及所述第七电阻的第二端相连接,所述第二NMOS管的栅极与所述第五电容的第一端,以及所述第六电阻的第二端相连接,所述第二NMOS管的源极接地;

所述第三电容的第一端接地,第二端分别与第一基准子电源、第四电容的第一端和第七电阻的第一端相连接;

所述第四电容的第一端接地,第二端分别与第七电阻的第二端、第一NMOS管的栅极,以及第二NMOS管的漏极相连接;

所述第一NMOS管的栅极分别与第七电阻的第二端、第四电容的第二端,以及第二NMOS管的漏极相连接,所述第一NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端相连接,所述第一NMOS管的源极分别于第七电容的第一端、第十电阻的第一端,以及所述选通比较电路相连接;

所述第四电阻的第一端与所述第三电容的第二端相连接,所述第四电阻的第二端与所述第一NMOS管的漏极相连接;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凌云天博光电科技有限公司,未经上海凌云天博光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420806638.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top