[实用新型]基于非晶态合金材料的高灵敏度磁场传感器

权利要求书

1.一种基于非晶态合金材料的高灵敏度磁场传感器，包括绝缘基板(1)、高导磁率非晶丝、非晶薄膜或非晶带做成的磁芯(2)、非磁性导电金属(3)、结构对称的非磁性金属接收线圈(4)，其特征在于：

在绝缘基板(1)上放置或加工偶数条上下平行且首尾相连、相互串联的磁芯(2)，每条磁芯(2)的左、右两端分别连接一段非磁性导电金属(3)；在串联的磁芯(2)外部缠绕有一个或一组结构对称的非磁性金属接收线圈(4)；磁芯的上输入端子(a)、下输入端子(b)分别连通传感器最上部、最下部两个磁芯(2)的某一端的非磁性导电金属(3)并位于传感器的一侧，而金属接收线圈的上输出端子(c)和下输出端子(d)相互靠近并位于传感器的另一侧。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：

所述磁芯(2)具有短轴异向性磁畴结构，磁芯的材料为钴基非晶材料、镍基非晶材料或铁基非晶材料；非晶薄膜、非晶带的厚度范围为0.01um～100um，非晶丝的直径范围为2um～100um，磁芯的长度范围为0.05mm～20mm。

3.根据权利要求1所述的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：

所述金属接收线圈(4)的线圈形式是微机电型(MEMS)线圈、普通绕线线圈或金属薄膜型线圈。

4.根据权利要求1所述的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：将每一条磁芯(2)切分为若干段等长的小段，每条小段之间使用非磁性导电金属(3)连通。

5.根据权利要求1所述的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：采用100匝的普通绕线线圈和四条磁芯的结构。