[实用新型]一种阵列基板及液晶显示面板有效
申请号: | 201420795230.7 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN204270000U | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 潘万艺;彭涛;张磊;曾章和 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
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地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶显示 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板、包含该阵列基板的液晶显示面板。
背景技术
平板显示器以其轻薄、省电等优点受到人们的欢迎,其中以液晶显示装置最为常见。液晶显示面板一般包括有阵列基板、彩膜基板及填充在阵列基板以及彩膜基板之间的液晶层。阵列基板和彩膜基板的至少一者上形成有像素电极和公共电极,在加电在像素电极和公共电极间形成电场,通过控制电场强度的变化调制液晶分子的取向角度,从而使背光源的光透过率发生变化。
请参考图1,图1是现有技术中一种阵列基板俯视结构示意图。现有技术中,阵列基板通常包括交叉设置的多个扫描线105和数据线107,该多个扫描线105和数据线107交叉限定多个像素区域,在每个像素区域,都包括一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),该TFT具体包括栅极105a、半导体层103、源极107a和漏极107b,该TFT的半导体层103为多晶硅,该扫描线105与半导体103的交叉处即为栅极105a,数据线107与半导体层103的连接处为源极107a,漏极107b与半导体层103的另一端电连接,并且与像素电极111电连接。图1所示的阵列基板中,像素电极111为条形电极结构,公共电极109隔着绝缘层与像素电极111相对设置。
公共电极109与公共电极线120电连接,通过公共电极线120对公共电极109施加驱动电压。现有技术中,公共电极线120通常与扫描线105同层设置,其采用相同的材料,而公共电极109则通常采用透明氧化物导电材料制备,通常为氧化铟锡或者氧化铟锌,其方阻远远大于通常用于制备扫描线的金属材料,驱动信号在公共电极线120与公共电极109中的传送效率不同,使得基板内公共电压均一性较差,从而导致闪烁不均的问题。
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供一种阵列基板以及包含该阵列基板的液晶显示面板。
本实用新型提供了一种阵列基板,包括:基板,包括显示区和非显示区;设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线,多条所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定多个像素区域;开关元件,靠近所述扫描线与所述数据线的交叉处;像素电极和公共电极,设置在所述像素区域内;公共电极线,设置于相邻所述像素区域之间,且与所述公共电极电连接;辅助电极,所述辅助电极与所述公共电极线层叠设置且电连接。
本实用新型还提供了一种包含上述阵列基板的液晶显示面板。
与现有技术相比,本实用新型至少具有如下突出的优点之一:
本实用新型的辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接,可以进一步降低公共电极线的电阻,提升基板内公共电压的均一性,改善闪烁不均,提高显示效果,并且由于辅助电极与数据线同层设置,在制备过程中不需要额外增加工序。
附图说明
图1是现有技术中一种阵列基板俯视结构示意图;
图2a是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
图2b是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板像素区域俯视结构示意图;
图2c为图2c中沿AA’截面的剖视结构示意图;
图2d是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板非显示区的剖视结构示意图;
图3a是本实用新型实施例二提供的一种阵列基板像素区域俯视结构示意图;
图3b为图3a中沿BB’截面的剖视结构示意图;
图4是本实用新型实施例三提供的一种液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的具体实施方式的限制。
实施例一
请结合参考图2a~图2c,图2a是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的俯视结构示意图,图2b是本实用新型实施例一提供的阵列基板像素区域俯视结构示意图,图2c为图2b中沿AA’截面的剖视结构示意图。
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