[实用新型]一种氨水雾化加入的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种液体加入的装置，尤其涉及一种氨水雾化加入的装置。

背景技术

目前，ITO制粉过程中，氨水的加入方法是在上方有个氨水高位槽，通过管道接入中和槽内，然后使用阀门和流量计控制氨水的加入速度，最终氨水以一柱液体注入铟溶液中。该方法中虽然使用搅拌桨搅拌铟溶液，但是溶液中局部区域氨水浓度过高，导致溶液中铟离子和锡离子形成晶粒长大过度甚至出现团聚，部分晶粒达到100nm~200nm，不符合生产ITO靶材晶粒要求。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，而提供一种可以防止溶液中局部区域氨水浓度过高的一种氨水雾化加入的装置。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种氨水雾化加入的装置，包括顶部设有搅拌机的柱形槽，搅拌机的搅拌桨伸入柱形槽内，柱形槽的顶部设有氨水输送管，氨水输送管伸入柱形槽的一端的底部设有雾化喷头，氨水输送管的另一端连接有氨水储罐，氨水输送管上设有输送泵。

氨水输送管伸入柱形槽的一端的底部设有管接头，管接头连接有与氨水输送管垂直的氨水输出管，雾化喷头位于氨水输出管上。

氨水输送管上设有流量计。

本实用新型具有以下优点：

1、氨水加入方式为以一定速度将氨水雾化，喷入铟溶液中，这样可极大减少局部区域的团聚和晶粒长大。

2、搅拌桨不停的搅拌，这样溶液中的铟离子和锡离子主要以形核为主，长大过程进行较少，不会出现团聚和过大颗粒，并且颗粒大小更均一。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明，

图1 为本实用新型一种氨水雾化加入的装置实施例1的结构示意图；

图2为本实用新型一种氨水雾化加入的装置实施例2的结构示意图；

图3为本实用新型一种氨水雾化加入的装置实施例3的结构示意图。

具体实施方式

实施例1：如图1所示，一种氨水雾化加入的装置，包括顶部设有搅拌机4的柱形槽1，搅拌机4的搅拌桨2伸入柱形槽1内，柱形槽1的顶部设有氨水输送管5，氨水输送管5伸入柱形槽1的一端的底部设有雾化喷头3，氨水输送管5的另一端连接有氨水储罐6，氨水输送管5上设有输送泵7。

使用时，启动输送泵7，将氨水通过氨水输送管5输送至柱形槽1内，同时调节输送泵7的转速，使氨水呈雾状加入柱形槽1中。同时启动搅拌机4，搅拌桨2不停的搅拌，且速度不能过快，这样溶液中的铟离子和锡离子主要以形核为主，长大过程进行较少，不会出现团聚和过大颗粒。

实施例2：如图2所示，一种氨水雾化加入的装置，包括顶部设有搅拌机4的柱形槽1，搅拌机4的搅拌桨2伸入柱形槽1内，柱形槽1的顶部设有氨水输送管5，氨水输送管5伸入柱形槽1的一端的底部设有雾化喷头3，氨水输送管5的另一端连接有氨水储罐6，氨水输送管5上设有输送泵7。

氨水输送管5伸入柱形槽1的一端的底部设有管接头8，所述管接头8连接有与氨水输送管5垂直的氨水输出管9，雾化喷头3位于氨水输出管9上。

     使用时，启动输送泵7，将氨水通过氨水输送管5输送至柱形槽1内，同时调节输送泵7的转速，使氨水呈雾状加入柱形槽1中。同时启动搅拌机4，搅拌桨2不停的搅拌，且速度不能过快，这样溶液中的铟离子和锡离子主要以形核为主，长大过程进行较少，不会出现团聚和过大颗粒。雾化喷头3位于氨水输出管9上，可根据需要安装多个雾化喷头3。

 实施例3：如图3所示，一种氨水雾化加入的装置，包括顶部设有搅拌机4的柱形槽1，搅拌机4的搅拌桨2伸入柱形槽1内，柱形槽1的顶部设有氨水输送管5，氨水输送管5伸入柱形槽1的一端的底部设有雾化喷头3，氨水输送管5的另一端连接有氨水储罐6，氨水输送管5上设有输送泵7。

氨水输送管5伸入柱形槽1的一端的底部设有管接头8，所述管接头8连接有与氨水输送管5垂直的氨水输出管9，雾化喷头3位于氨水输出管9上。

氨水输送管5上设有流量计10。

     使用时，启动输送泵7，将氨水通过氨水输送管5输送至柱形槽1内，同时调节输送泵7的转速，使氨水呈雾状加入柱形槽1中。同时启动搅拌机4，搅拌桨2不停的搅拌，且速度不能过快，这样溶液中的铟离子和锡离子主要以形核为主，长大过程进行较少，不会出现团聚和过大颗粒。雾化喷头3位于氨水输出管9上，可根据需要安装多个雾化喷头3，氨水输送管5上设有流量计10可计量氨水的流量。