[实用新型]一种与温度无关的非线性斜坡补偿电路

权利要求书

1.一种与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，包括线性电压产生电路、非线性电压产生电路、基准电流源以及基准电压源；所述线性电压产生电路在基准电流源的配合下，将功率管的开关控制信号转化为线性斜坡信号，输出至非线性电压产生电路；所述非线性电压产生电路在基准电压源的配合下，将所述线性斜坡信号转化为与温度无关的非线性斜坡补偿电压。

2.根据权利要求1所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述线性电压产生电路包括反相器、第一NMOS管以及电容；所述反相器的输入端连接功率管的开关控制信号，输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的源极接地，漏极与所述电容的一端以及基准电流源相连，并构成输出端；所述电容的另一端接地。

3.根据权利要求1所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述非线性电压产生电路包括第一运算放大器和第二运算放大器；

第一运算放大器的同相输入端连接所述线性电压产生电路的输出端，第一运算放大器的输出端连接第二NMOS管的栅极，第二NMOS管的源极连接第一电阻并与第一运算放大器的反相输入端相连，第二NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，第一PMOS管的栅极与漏极相连；

第二运算放大器的同相输入端连接所述基准电压源，第二运算放大器的输出端连接第三NMOS管的栅极，第三NMOS管的源极连接第二电阻并与第二运算放大器的反相输入端相连，第三NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，第四PMOS管的栅极与漏极相连；

第二PMOS管、第三PMOS管、第七PMOS管与第一PMOS管构成电流镜；第五PMOS管、第六PMOS管与第四PMOS管构成电流镜；第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管构成电流减法器，第九PMOS管的漏极连接第三电阻，并构成输出端；

第四NMOS管与第五NMOS管构成电流镜，第四NMOS管与第二PMOS管的漏极相连，第五NMOS管的漏极与第一NPN晶体管的发射极相连；第六NMOS管与第七NMOS管构成电流镜，第七NMOS管与第六PMOS管的漏极相连，第六NMOS管的漏极与第三NPN晶体管的发射极相连；第三PMOS管的漏极与第二NPN晶体管的集电极相连；第八PMOS管的漏极与第四NPN晶体管的集电极相连；第五PMOS管的漏极与PNP晶体管的发射极相连；第一NPN晶体管和第三NPN晶体管的基极相连，第二NPN晶体管的基极与第一NPN晶体管的发射极相连，第四NPN晶体管的基极与第三NPN晶体管的发射极相连，PNP晶体管的基极与第二NPN晶体管的集电极相连。

4.根据权利要求3所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述第二PMOS管与第三PMOS管的宽长比相等，且为第一PMOS管的一半；所述第七PMOS管的宽长比为第二PMOS管的k倍。

5.根据权利要求3所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述第五PMOS管、第六PMOS管与第四PMOS管的宽长比相等。

6.根据权利要求3所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述第四NMOS管与第五NMOS管的宽长比相等。

7.根据权利要求3所述与温度无关的非线性斜坡补偿电路，其特征在于，所述第六NMOS管与第七NMOS管的宽长比相等。