[实用新型]一种负载侧控制IGBT串联均压电路

权利要求书

1.一种负载侧控制IGBT串联均压电路，包括至少两个串联的主IGBT，其特征在于，每个主IGBT与一个电压检测电路并联，每个电压检测电路与一个辅助IGBT的栅极连接，每个辅助IGBT的发射极与对应的主IGBT的发射极连接；所有的辅助IGBT集电极均与辅助缓冲支路连接；所述辅助缓冲支路与所有主IGBT的集电极连接。

2.根据权利要求1所述的负载侧控制IGBT串联均压电路，其特征在于，所述主IGBT数量为两个；第一主IGBT和第二主IGBT的集电极和发射极之间分别并联有第一电压检测电路、第二电压检测电路；所述第一电压检测电路、第二电压检测电路分别与第一辅助IGBT的栅极、第二辅助IGBT的栅极连接；所述第一辅助IGBT的发射极、第二辅助IGBT的发射极分别与所述第一主IGBT的发射极、第二主IGBT的发射极连接；所述第一辅助IGBT的集电极、第二辅助IGBT的集电极均与辅助缓冲支路连接。

3.根据权利要求2所述的负载侧控制IGBT串联均压电路，其特征在于，所述第一电压检测电路和第二电压检测电路结构相同；所述第一电压检测电路包括第一电阻均压支路和第一电压跟随器；所述第一电阻均压支路与第一主IGBT连接的RCD缓冲支路并联，所述第一电压跟随器正输入端与所述第一电阻均压支路中点连接；所述第一电压跟随器输出端与所述第一辅助IGBT栅极连接。

4.根据权利要求3所述的负载侧控制IGBT串联均压电路，其特征在于，所述辅助缓冲支路包括缓冲电容；所述第一辅助IGBT、第二辅助IGBT的集电极均与缓冲电容一端连接，所述缓冲电容另一端并联接入两个二极管阴极之间，所述两个二极管阳极分别与第一主IGBT集电极、第二主IGBT集电极连接；所述缓冲电容与放电电阻并联；所述缓冲电容容值大于5μF。

5.根据权利要求4所述的负载侧控制IGBT串联均压电路，其特征在于，还包括RCD缓冲支路，所述RCD缓冲支路接入所述主IGBT和所述电压检测电路之间，且RCD缓冲支路与所述电压检测电路并联。

6.根据权利要求5所述的负载侧控制IGBT串联均压电路，其特征在于，所述RCD缓冲支路中的电容容值小于所述缓冲电容容值的1/5。