[实用新型]一种低功耗读卡器有效

专利信息
申请号: 201420773642.0 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN204288233U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 姚嘉;吕前进;杨才山;高友;胡双喜;徐江乐;王兆栋;梁友仁 申请(专利权)人: 天津光电安辰信息技术有限公司
主分类号: G06K7/00 分类号: G06K7/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 温国林
地址: 300211*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 读卡器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及读卡器领域,尤其涉及一种低功耗读卡器。

背景技术

随着电子技术的进步与发展,射频卡及非接触式读卡器正逐步取代广电卡、磁卡、接触式IC卡及其他读卡器。而目前广泛使用的非接触式读卡器都是由微控制芯片、射频感应芯片和天线构成。当对读卡器功耗要求不高时,上述芯片和天线可以长时间处于工作状态。

但另一方面,在很多应用场合,读卡器及其锁舌驱动都是由电池提供电源的,比如电子门锁等等。在这种情况下,如果上述芯片和天线一直处于工作状态,电池电量将很快耗尽。因此必须降低上述芯片和天线的功耗,并尽量使其处于待机状态,以降低读卡器的整机功耗,达到延长读卡器使用时间的目的。

实用新型内容

本实用新型提供了一种低功耗读卡器,本实用新型实现了低功耗电路的设计,使MCU微控制芯片、射频处理芯片和天线尽可能处于休眠模式或者关闭状态,从而整体上降低读卡器的工作电流和实际功耗,延长读卡器的使用时间,详见下文描述:

一种低功耗读卡器,所述读卡器包括:微控制芯片、射频处理芯片、射频处理单元和天线,所述射频处理芯片连接所述射频处理单元;所述射频处理单元连接所述天线,所述微控制芯片通过串行外设接口与所述射频处理芯片通信;所述微控制芯片分别与第一晶振和第二晶振相连;所述第一晶振为所述微控制芯片提供低速时钟;所述第二晶振为所述微控制芯片提供高速时钟;所述微控制芯片通过片选信号的高低电平控制所述射频处理芯片的工作模式。

其中,所述射频处理单元包括:第一电容,

所述第一电容一端连接所述射频处理芯片,所述第一电容另一端连接第一电感的一端,所述第一电容还并联第二电容,所述第一电感的另一端与第三电容、第四电容和第二电感的一端相连,所述第三电容的另一端与所述射频处理芯片和第五电容的一端相连,所述第四电容和所述第五电容的另一端接地,所述第二电感的另一端与第六电容、第七电容、第八电容、第一电阻和第二电阻的一端相连,所述第二电感还并联第九电容,所述六电容的另一端与所述射频处理芯片和第十电容的一端相连,所述第七电容、所述第八电容和所述第十电容的另一端接地,所述第一电阻的另一端接外接天线的一端,所述外接天线的另一端接地,所述第二电阻的另一端连接第十一电容的一端,所述第十一电容并联第十二电容,所述第十一电容的另一端连接第三电阻和所述天线的一端,所述第三电阻还并联第十三电容。

本实用新型提供的技术方案的有益效果是:该读卡器通过采用低功耗的MCU微控制芯片和射频感应芯片,降低读卡器的工作电流。同时,在实现读卡功能的前提下,尽可能使MCU微控制芯片、射频识别芯片和天线处于休眠或者关闭状态。从而从整体上降低读卡器的功耗,延长读卡器的使用时间。读卡器整体电路简单,易于控制,具有功耗低、结构简单、成本低和可靠性好的特点。

附图说明

图1为一种低功耗读卡器的结构及工作原理示意图;

图2为一种低功耗读卡器的电路框图;

图3为一种低功耗读卡器的射频处理单元电路框图。

附图中,各标号所代表的部件列表如下:

11:微控制芯片;                         12:射频处理芯片;

13:射频处理单元;                       14:天线。

C20:第一电容;                          C25:第二电容;

L2:第一电感;                           C23:第三电容;

C26:第四电容;                          C27:第五电容;

C24:第六电容;                          L1:第二电感;

C22:第七电容;                          C21:第八电容;

C17:第九电容;                          C28:第十电容;

R19:第一电阻;                          R18第二电阻:

P13:外接天线;                          C29:第十一电容;

C30:第十二电容;                        C33:第十三电容;

R20:第三电阻;                          XT1:第一晶振;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津光电安辰信息技术有限公司,未经天津光电安辰信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420773642.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top