[实用新型]自动调节硅片制绒工艺的装置有效

专利信息
申请号: 201420769704.0 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN204480999U 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 陶龙忠;乐雄英;杨灼坚;张尧;李海波 申请(专利权)人: 苏州润阳光伏科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 自动 调节 硅片 工艺 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池表面结构化的制绒工艺领域,特别涉及一种自动调节硅片制绒工艺的装置。

背景技术

太阳能电池片的表面结构化制程是太阳能电池生产中非常重要的一步,对后面电池片制程的各项工艺有着重大的影响,而进行链式酸制绒是时下太阳能电池最常用的表面结构化方法。现在生产线上制绒工艺的调整通常是工艺人员通过测量硅片的减薄量,然后根据减薄量的结果,进行工艺的调节,以维持工艺的稳定性。这种做法存在两个问题,第一,根据减薄量的结果进行工艺的调节始终是滞后的,如果工艺出现了问题,不能及时调节,那么这期间可能会出现一些制绒不合格的硅片;第二,工艺人员的调节结果不一定准确,制绒出来的硅片也就没有达到最好的结果。本发明克服了现有工艺的不足,提供了一种自动调节硅片制绒工艺的装置,可以实时对制绒工艺进行自动调节,维持工艺的稳定性,确保制绒效果达到最好,提升产品质量。

发明内容

本实用新型为了克服现有工艺的不足,提供一种自动调节硅片制绒工艺的装置,可以实时对制绒工艺进行自动调节,维持工艺的稳定性,确保制绒效果达到最好,提升产品质量。

本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种自动调节硅片制绒工艺的装置,该装置由反射率测量系统、硅片厚度测量系统和反馈控制系统组成,所述反射率测量系统设置于制绒设备的下料端,所述硅片厚度测量系统设置于制绒设备的上料端与下料端,所述反馈控制系统分别与反射率测量系统、硅片厚度测量系统及制绒设备主控计算机相连接,所述反馈控制系统收集反射率测量系统和硅片厚度测量系统测得的信号,经内部算法处理后,下达指令予制绒设备主控计算机,对制绒设备的工艺参数进行自动调节。

制绒设备主控计算机对制绒设备的工艺参数进行自动调节,如反射率的调节,厚度减薄量的调节,温度的调节,传输速度的调节及补液系数的调节;

作为本实用新型的进一步改进,所述反射率测量系统由激光反射率测量仪组成,无接触测量硅片的反射率。

作为本实用新型的进一步改进,所述硅片厚度测量系统由电容测厚仪、电感测厚仪或电阻测厚仪组成,安装在制绒设备的上料端和下料端,无接触测量硅片的厚度变化;

作为本实用新型的进一步改进,所述反馈控制系统由可编程逻辑控制器或计算机组成。

本实用新型的有益效果是:本实用新型适用于太阳能电池表面结构化的制绒工艺,该实用新型装置对硅片制绒工艺的自动调节,有效解决了工艺人员对工艺的调控问题,增强了工艺的准确性与稳定性,提升产品质量。

附图说明

图1为本实用新型自动调节硅片制绒工艺装置安装在制绒设备上的结构示意图;

图中标示:1-反射率测量系统、2-硅片厚度测量系统、3-反馈控制系统、4-制绒设备主控计算机、5-上料端、6-下料端、7-制绒槽、8-滚轮、9-硅片、10-制绒设备。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解,下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述,该实施例仅用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型保护范围的限定。

如图1所示:一种自动调节硅片制绒工艺的装置安装在制绒设备10上,包括反射率测量系统1、硅片厚度测量系统2、反馈控制系统3、制绒设备主控计算机4、上料端5,下料端6,制绒槽7,滚轮8,硅片9。

反射率测量系统1设置于制绒设备10的下料端6,当硅片9经过下料端6时,反射率测量系统1无接触测得硅片的反射率;在本实例中,由激光反射率测量仪测量硅片的反射率。

硅片厚度测量系统2设置于制绒设备10的上料端5与下料端6;当硅片9经过上料端5和下料端6时,硅片厚度测量系统2测得硅片9减薄量的变化;在本实例中,硅片厚度的变化由电容测厚仪测得。

反馈控制系统3分别与反射率测量系统1、硅片厚度测量系统2及制绒设备主控计算机4相连接;在本实例中,反馈控制系统是具有完成内部算法功能的计算机。

反馈控制系统3收集反射率测量系统1和硅片厚度测量系统2测得的信号,经内部算法处理后,下达指令予制绒设备主控计算机4;

制绒设备主控计算机4对制绒设备10的工艺参数进行自动调节,在本实例中,对反射率的调节,厚度减薄量的调节,温度的调节,传输速度的调节及补液系数的调节;

以上所述仅为本发明示意性的具体实施方式,并非用以限定本发明的范围。任何本领域的技术人员,在不脱离本发明的构思和原则的前提下所作的等同变化、修改与结合,均应属于本发明保护的范围。

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