[实用新型]一种半导体晶片封装结构

权利要求书

1.一种半导体晶片封装结构，包括封装线和引脚部，其特征在于：还包括至少一个封装单元，每个封装单元包括：

金属托架，其具有相对的第一表面和第二表面，且与所述引脚部处于不同的平面上；

第一半导体晶片，其具有不同极性且相对的第一极性表面和第二极性表面，所述第一极性表面电性连接于所述金属托架的第一表面，第二极性表面上设置有压焊区，所述压焊区通过所述封装线与相应极性的引脚部电性连接；

第二半导体晶片，其具有不同极性且相对的第一极性表面和第二极性表面，所述第一极性表面电性连接于所述金属托架的第二表面，第二极性表面上设置有压焊区，所述压焊区通过所述封装线与相应极性的引脚部电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：每个半导体晶片包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，

所述第一MOS晶体管的漏极和第二MOS晶体管的漏极形成于所述半导体晶片的第一极性表面，

每个半导体晶片的第二极性表面具有第一源极压焊区、第二源极压焊区、第一栅极压焊区和第二栅极压焊区，第一MOS晶体管的源级与第一源极压焊区电性相连，第二MOS晶体管的源级与第二源极压焊区电性相连，第一MOS晶体管的栅级与第一栅极压焊区电性相连，第二MOS晶体管的栅级与第一栅极压焊区电性相连。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：所述引脚部包括第一源极引脚部、第二源极引脚部、第一栅极引脚部和第二栅极引脚部，

所述第一半导体晶片的第一源极压焊区和第二半导体晶片的第一源极压焊区分别通过封装线与所述第一源极引脚部相连，所述第一半导体晶片的第二源极压焊区和第二半导体晶片的第二源极压焊区通过封装线与所述第二源极引脚部相连，所述第一半导体晶片的第一栅极压焊区和第二半导体晶片的第一栅极压焊区分别通过封装线与所述第一栅极引脚部相连，所述第一半导体晶片的第二栅极压焊区和第二半导体晶片的第二栅极压焊区分别通过封装线与所述第二栅极引脚部相连。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：所述第一半导体晶片的第一极性表面通过导电胶贴合在所述金属托架的第一表面，所述第二半导体晶片的第一极性表面通过导电胶贴合在所述金属托架的第二表面。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：所述第二半导体晶片位于金属托架定义的平面和引脚部定义的平面之间。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：还包括包覆所述封装单元和封装线的塑封体。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：所述封装单元的数量为一个。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片封装结构，其特征在于：所述封装单元的数量为两个或两个以上，且各封装单元层叠布置。