[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201420762513.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN204424302U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；
P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；
N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述多个台阶的边缘为圆弧形。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述多个台阶呈轴对称，对称轴为P型电极和N型电极中心的连线。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述台阶的高度为8-25μm，所述台阶的宽度为3-10μm。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
钝化层，所述钝化层覆盖在透明导电层和N型电极层的裸露区域。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN层。
7.如权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅层。
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