[实用新型]一种发光二极管结构有效
| 申请号： | 201420755635.8 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN204257687U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的量子阱层组成的发光外延层，以及位于第二半导体层上的P电极、位于第一半导体层上的N电极，其特征在于：所述N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述凹槽结构呈上宽下窄。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述凹槽结构的粗糙表面由若干个凹/凸透镜组成。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述凹/凸透镜呈周期性规则分布或者随机分布。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述凹槽结构为沿第二半导体层表面向下贯穿至第一半导体层内部。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述凹槽结构仅形成于第一半导体层。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：在所述P电极与发光外延层之间形成电流扩展层。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述发光外延层为氮化镓基半导体层，其发射的光波波长小于500nm。
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