[实用新型]一种基于忆阻器的四翼超混沌系统电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一个混沌系统及电路实现，特别涉及一种基于忆阻器的四翼超混沌系统电路。

背景技术

当前，构造四维超混沌的方法主要是在三维混沌系统的基础上，增加一维构成四维超混沌系统，忆阻器作为2008年惠普实验室新发现的物理元件，可以代替蔡氏电路中的蔡氏二极管构成四维混沌系统，在蔡氏电路中要构成超混沌则需要2个忆阻元件，因此需要五维或五维以上的系统，在具有忆阻元件的四维系统中实现超混沌的系统电路还比较少，具有四翼吸引子的忆阻超混沌系统，还没有被提出，这是现有技术的不足之处。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种基于忆阻器的四翼超混沌系统的构建方法及电路实现，本实用新型采用如下技术手段实现发明目的：

1.一种基于忆阻器的四翼超混沌系统的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)三维混沌系统i为：

dx/dt=ax+byzdy/dt=cy+dxza=0.35,b=-10,c=-0.6,d=0.3,e=-1.6,f=2dz/dt=ez+fxy---i]]>

式中x,y,z为状态变量； 

(2)本实用新型采用的忆阻器模型为磁控忆阻器模型ii为：

其中表示磁控忆阻，表示磁通量，m,n是大于零的参数；

(3)对ii的磁控忆阻器模型求导得忆导器模型iii为：

表示磁控忆导,m,n是大于零的参数；

(4)把磁控忆导器模型iii作为一维系统变量，加在三维混沌系统i的第二方程上，并在系统i的第三个方程上增加一个非线性项xz，获得一种具有忆阻器的四翼超混沌系统iv：