[实用新型]转印定位装置及具有转印定位装置的显示装置有效
申请号: | 201420748641.0 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN204204823U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 蔡世星;施露;习王锋;顾维杰;朱涛;刘雪洲 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 装置 具有 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及转印技术领域,特别是涉及一种转印定位装置及具有转印定位装置的显示装置。
背景技术
在使用转印技术生产显示装置过程中,转印到基板上的半导体芯片可能出现定位偏差的问题,若定位偏差过大,会导致转印到基板上的半导体芯片无法正常工作。同时,转印到基板上的半导体芯片的厚度通常达到10~20微米。
目前,针对可能出现的半导体芯片的定位偏差的问题,主要的方法为:在待转印的基板上制作对位标,根据对位标,对半导体芯片进行定位。这种方式能保证转印到基板上的半导体芯片的整体位置偏移量在控制范围内,但是对可能出现的单个芯片的位置偏移没有办法控制,降低转印的精度。
而对于转印到基板上的半导体芯片的平坦化,通常采用具有良好平坦化效果的材料,通过回旋涂布和热回流退火工艺的方式实现平坦化,但是,平坦化的效果依然有待改进。
实用新型内容
基于此,为了解决提高转印的精度和提高平坦化效果的问题,提出一种转印定位装置。
一种转印定位装置,用于将转印芯片定位到基板上,所述转印定位装置包括:
对位标,设置于所述基板上;
粘附层,粘附在所述基板上,且覆盖所述对位标,所述粘附层用于固定所述转印芯片的位置;以及
预对位层,设置于所述粘附层上,所述预对位层上开设有至少一个凹槽,用 于放置所述转印芯片。
在其中一个实施例中,所述预对位层为一层或一层以上的薄膜。
在其中一个实施例中,所述凹槽的高度小于所述转印芯片的高度,且所述凹槽的高度和所述转印芯片的高度相差0.1-10微米。
在其中一个实施例中,所述凹槽大于所述转印芯片,且所述凹槽的底面的边缘和对应的所述转印芯片的底面边缘相距0.1-100微米。
在其中一个实施例中,所述预对位层上的凹槽的底面的面积小于所述凹槽的开口端面的面积。
本实用新型还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述转印定位装置。
上述转印定位装置及具有该转印定位装置的显示装置,通过在粘附层上沉积预对位层,预对位层上开设有至少一个凹槽,凹槽用于放置转印芯片,从而将转印芯片进行了准确地定位,在转印过程中,避免某个转印芯片的定位不准确的现象,提高转印的精度。此外,因为预对位层的存在,所以若将转印芯片转印到预对位层上,对转印芯片进行平坦化的厚度减少,在一定程度上能提高平坦化的效果。
附图说明
图1为本实用新型转印定位装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
本实施例提供一种转印定位装置,如图1所示,该转印定位装置用于将转 印芯片40定位到基板10上,在本实施例中,基板10为玻璃基板。转印定位装置包括对位标20、粘附层30和预对位层50。对位标20设置在基板10上,用于对转印芯片40进行初步定位。粘附层30通过涂布、旋转或者化学气相沉积法在基板10上沉积,该粘附层30为膜层,并能完全覆盖对位标20。粘附层30的材料可以为具有粘附力的有机聚合物,用以固定转印芯片40的位置,使得转印芯片40在放置到预对位层50后,粘附层30将转印芯片40固定,使其位置不发生改变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造