[实用新型]硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构有效
| 申请号： | 201420742388.8 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN204347303U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李岩;张岩;康佳 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘东升;张宏亮 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 波导 探测器 垂直 耦合 结构 | ||
1.一种硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，包括：衬底(1)、波导(2)、上包层(3)和探测器(4)；所述衬底(1)为硅衬底，其上形成波导(2)，波导(2)上形成上包层(3)，上包层(3)上待形成探测器(4)的位置通过去薄上包层(3)而形成凹陷，凹陷内形成波导本体电极(5)，探测器(4)光敏面使用导光树脂层(6)与波导(2)耦合，波导(2)中光的传输方向与探测器(4)光的引出方向垂直，探测器电极与波导本体电极(5)通过导电树脂层(7)相连。
2.如权利要求1所述的硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，所述波导本体电极(5)上通过金丝压焊将探测器探测信号引出到管脚或者放大电路。
3.如权利要求1所述的硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，所述波导(2)和探测器(4)分别独立制作，通过导光树脂和导电树脂实现耦合。
4.如权利要求1所述的硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，所述衬底(1)包括硅衬底和形成在硅衬底上方的二氧化硅缓冲层，波导(2)形成在二氧化硅缓冲层上方。
5.如权利要求1所述的硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，其特征在于，所述上包层(3)去薄需满足：当需要将光全部引出时，则将上包层去除至波导深度，如需要部分光引出时，则去除上包层的部分厚度。
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