[实用新型]基于磁电效应的声表面波磁传感器有效
| 申请号： | 201420738722.2 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204495981U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 欧阳君;李杨;杨晓非;陈实;童贝 | 申请（专利权）人： | 瑞声光电科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213167 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 效应 表面波 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于磁电效应的声表面波磁传感器，包括压电薄膜、设置在压电薄膜下的种子层、设置在压电薄膜上的叉指换能器，其特征在于：所述压电薄膜远离所述叉指换能器的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。
2.根据权利要求1所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述铁磁层包括NdFeB稀土永磁材料层、AlNiCo或FeCrCo金属永磁材料层、BaFe12O19或SrFe12O19铁氧体永磁材料层其中之一。
3.根据权利要求1所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述反铁磁层包括锰基合金材料层。
4.根据权利要求3所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述反铁磁层包括IrMn或FeMn层。
5.根据权利要求2或4任一所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述叉指换能器包括叉指电极，和位于叉指电极两端的反射栅。
6.根据权利要求5所述基于磁电效应的声表面波磁传感器，其特征在于：所述叉指电极为Al，Cu，Ag，Au或Pt其中之一材料制成的导体层，厚度为50至100纳米。
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