[实用新型]一种电子器件封装防漏的结构有效
申请号: | 201420737258.5 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN204271066U | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 汤守利;陈强;余朝 | 申请(专利权)人: | 意拉德电子(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 朱晓光 |
地址: | 523478 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子器件 封装 防漏 结构 | ||
1.一种电子器件封装防漏的结构, 包括一电子元件(12)置于电子器件(10)的内腔之中,所述电子元件(12)的引脚(13)从器件外壳(15)底侧的引出部位(14)引出,其特征在于,所述引出部位(14)的局部底侧壳体厚度为1.3mm~2mm;引脚过孔(152)的厚度为0.5mm~1mm。
2.根据权利要求1所述的电子器件封装防漏的结构,其特征在于,
所述引出部位(14)的喇叭口(153)的张开角度为45°~55°。
3.根据权利要求2所述的电子器件封装防漏的结构,其特征在于,
所述喇叭口(153)的外斜边(154)与外壳(15)的内侧壁(155)圆滑过渡,以利于引脚(13)顺利插入引脚过孔(152)之中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意拉德电子(东莞)有限公司,未经意拉德电子(东莞)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420737258.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型沟槽MOSFET单元
- 下一篇:IMD测量电路结构