[实用新型]一种低光衰太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201420731710.7 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN204230259U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张敬敬;王立建;蔡岳峰 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低光衰 太阳能电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种低光衰太阳能电池结构，其特征在于，包括：
用于支撑的N型晶硅基体；
覆盖在所述N型晶硅基体上表面的n+前表面场；
沉积在所述n+前表面场上的减反钝化膜；
附着在N型晶硅基体下表面的p+发射结；
沉积在p+发射结下表面的钝化膜；
栅线分布在N型晶硅基体上方的银电极且所述银电极的下表面穿过减反钝化膜及n+前表面场并与所述N型晶硅基体的上表面接触；
附着在钝化膜下表面的铝背场，所述铝背场的上表面延伸出凸台且所述凸台栅线分布，所述凸台穿过钝化膜并嵌入p+发射结内。
2.根据权利要求1所述的低光衰太阳能电池结构，其特征在于，所述减反钝化膜为SiNx膜，在所述n+前表面场和SiNx膜之间增加一层SiO2膜，所述SiO2膜厚度为3-6nm。
3.根据权利要求1所述的低光衰太阳能电池结构，其特征在于，所述N型晶硅基体(4)为硅片，所述硅片形成的PN结结深为0.5μm。
4.根据权利要求1所述的低光衰太阳能电池结构，其特征在于，所述钝化膜包括叠加在一起的SiNx膜和SiO2膜，所述SiO2膜连接所述p+发射结，其厚度为5-10nm，所述SiNx膜的厚度为80-100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
