[实用新型]一种多模式转换电路

权利要求书

1.一种多模式转换电路，包括：

电感，耦接于输入端和开关端之间；

第一晶体管，耦接于所述开关端和接地端之间；

第二晶体管和第三晶体管，串联耦接于所述开关端和所述输出端之间，所述第二晶体管和所述第三晶体管的衬底寄生二极管的阳极均耦接至其公共连接端，或者所述第二晶体管和所述第三晶体管的衬底寄生二极管的阴极均耦接至其公共连接端，其中

若所述转换器不使能，所述第二晶体管和所述第三晶体管关断；

若所述转换器工作于升压模式，所述第二晶体管具有导通模式或者开关模式，所述第三晶体管具有开关模式；以及

若所述转换器工作于降压模式，所述第二晶体管的导通电阻可调节，所述第三晶体管具有开关模式。

2.根据权利要求1所述的转换电路，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是P沟道MOS晶体管，其中

所述第二晶体管具有第一端、第二端、控制端和衬底端，其第一端耦接至所述转换电路的开关端，其衬底端耦接至其第一端；

所述第三晶体管具有第一端、第二端、控制端和衬底端，其第一端耦接至所述所述第二晶体管第二端，其第二端耦接至所述输出端，其衬底端耦接至其第二端。

3.根据权利要求1所述的转换电路，其中，第二晶体管和第三晶体管是P沟道MOS器件，其中

所述第二晶体管具有第一端、第二端、控制端和衬底端，其第二端耦接至所述转换电路的输出端，其衬底端耦接至其第一端；

所述第三晶体管具有第一端、第二端、控制端和衬底端，其第一端耦接至所述转换电路的开关端，其第二端耦接至所述第二晶体管第一端，其衬底端耦接至其第二端。

4.根据权利要求1所述的转换电路，其中，

所述第二晶体管由第一至第N单元晶体管并联组成，N大于等于2；

所述第一晶体管关断后的第一时间，若所述转换电路开关端电压低于设定电压，通过关断所述第一单元晶体管增大所述第二晶体管的导通电阻。

5.根据权利要求4所述的转换电路，其中，

所述第一晶体管关断后的第N时间，若所述转换电路开关端电压低于所述设定电压，通过关断所述第N单元晶体管增大所述第二晶体管的导通电阻。

6.根据权利要求1或者2或者3所述的转换电路，还包括

阻抗控制电路，具有第一端、第二端和第三端，其第一端耦接至所述转换电路的输入端，其第二端耦接至所述转换电路的开关端，其第三端耦接至所述第二晶体管的控制端；

所述第一晶体管关断后的第一时间，若所述转换电路开关端电压低于设定电压，所述阻抗控制电路增大所述第二晶体管的导通电阻，其中所述设定电压高于所述转换电路输入端的电压。

7.根据权利要求6所述的转换电路，其中，所述阻抗控制电路包括，

第一比较器，具有第一端、第二端和输出端，其第一端接收参考信号，其第二端耦接至所述转换电路的开关端；以及

第一驱动电路，具有输入端与输出端，其输入端耦接至所述第一比较器的输出端，其输出端耦接至所述第二晶体管的控制端。

8.根据权利要求7所述的转换电路，其中，

所述第一晶体管关断后的第一时间内，所述第二晶体管具有第一导通电阻；

在所述第一时间结束时，若所述转换电路开关端电压低于设定电压，所述第一驱动电路输出第二电压，所述第二晶体管具有第二导通电阻，其中所述第二导通电阻大于所述第一导通电阻。

9.根据权利要求6所述的转换电路，其中，所述第二晶体管的导通电阻线性可变。

10.根据权利要求6所述的转换电路，所述阻抗控制电路包括第一放大器，具有第一端、第二端和输出端，其第一端接收参考信号，其第二端耦接至所述转换电路的开关端，其输出端耦接至所述第二晶体管的控制端。

11.根据权利要求1所述的转换电路，还包括

第四晶体管，为耗尽型PMOS晶体管，具有第一端、第二端和控制端，其第一端耦接至所述转换电路的输入端，其控制端耦接至所述转换电路的开关端，其第二端耦接至所述述第二晶体管的控制端；以及

阻性电路，具有第一端和第二端，其第一端耦接至所述第二晶体管的控制端，其第二端耦接至所述接地端，配置为对所述第四晶体管的控制端放电。