[实用新型]晶圆级光互连模块有效
申请号: | 201420713521.7 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN204230274U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 万里兮;黄小花;王晔晔;沈建树;翟玲玲;钱静娴;范俊 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;G02B6/42 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级光 互连 模块 | ||
1.一种晶圆级光互连模块,包括基板(1)、控制芯片(2)、至少一光纤(3)和对应所述光纤的光电转换芯片(4),其特征在于:所述基板的一表面形成有用于电路互连的金属布线层(5),且所述基板的该表面上形成有对应所述光纤的条形凹槽(6),所述光纤嵌入定位于所述基板上对应的凹槽内;所述凹槽具有与所述光纤的端面相对的斜坡状第一端面(61),所述第一端面上形成有一层反光层(7);所述控制芯片和所述光电转换芯片焊接于所述基板上,其中至少所述光电转换芯片是以倒装的形式焊接于所述基板上,且所述控制芯片与所述光电转换芯片通过所述金属布线层电连接;所述光电转换芯片的功能区位于所述反光层的上方,且所述光电转换芯片的功能区的表面与所述基板的表面呈设定角度,使光束路线能经过所述光电转换芯片的功能区、所述凹槽的第一端面上的反光层和所述凹槽内的光纤。
2.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于:所述光电转换芯片为光电二极管芯片或激光二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的晶圆级光互连模块,其特征在于:所述凹槽垂直长度方向的截面为V形或方形或倒等腰梯形或上方形下V形的组合或上倒等腰梯形下V形的组合。
4.根据权利要求1所述的晶圆级光互连模块,其特征在于:所述基板为各向异性的单晶硅基板,所述凹槽垂直长度方向的截面为V形,所述凹槽的两侧壁和第一端面均与单晶硅基板的表面形成固定夹角。
5.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于:所述反光层为至少一层的反光金属膜。
6.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于:所述光电转换芯片具有第一焊料凸点(41),所述控制芯片具有第二焊料凸点(21),所述金属布线层上具有对应所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点的第一连接盘和第二连接盘,所述第一、第二焊料凸点焊接于对应的第一、第二连接盘上。
7.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于:所述凹槽的第一端面与所述光纤的端面之间或/和所述反光层与所述光电转换芯片的功能面之间设有聚焦透镜(8)。
8.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于,所述基板上还形成有用于与外电路电连接的若干个导电金属块(9),该导电金属块通过所述金属布线层与所述控制芯片电连接。
9.根据权利要求1所述晶圆级光互连模块,其特征在于,所述控制芯片以倒装的形式或键合引线的形式焊接于所述基板上,与所述金属布线层电性相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的