[实用新型]基底键合装置有效
申请号: | 201420713005.4 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN204289405U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 杨莹;王之奇;洪宗敏;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/20;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 应战;骆苏华 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 装置 | ||
1.一种基底键合装置,其特征在于,包括:
若干垫片,所述若干垫片沿基底的边缘均匀分布,所述若干垫片位于与基底表面对应的平面上,所述垫片包括相互连接的凸部和延伸部,所述凸部延伸至基底的边缘以外,所述延伸部自所述凸部开始沿基底的边缘延伸预设长度,所述延伸部包括用于接触基底表面的接触面,所述接触面包括第一边界和第二边界,所述第一边界为对应于基底周长的弧形,所述第二边界平行于第一边界,且所述第二边界比第一边界到基底圆心的距离小;
若干夹具,所述若干夹具沿基底周长均匀分布,且所述夹具位于相邻垫片之间。
2.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述垫片的数量大于或等于所述夹具的数量。
3.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述第一边界与基底的边缘重合。
4.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述延伸部位于所述凸部的一侧或两侧。
5.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述延伸部的第一边界长度为40毫米~120毫米。
6.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述第一边界与第二边界之间的距离为2.5毫米~3毫米。
7.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述垫片的厚度为300微米~1000微米。
8.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,所述夹具的数量为2~5个。
9.如权利要求8所述的基底键合装置,其特征在于,当所述夹具的数量为2个时,所述夹具位于基底直径的两端。
10.如权利要求1所述的基底键合装置,其特征在于,还包括:相对设置的上盖板和承载基底,所述上盖板和承载基底的表面平行于基底表面;腔室,固定有基底的垫片、夹具、上盖板和承载基底置于所述腔室内,用于进行基底键合工艺。
11.如权利要求10所述的基底键合装置,其特征在于,所述夹具包括夹具基底、夹具体部和夹具头,所述夹具体部垂直于基底表面,所述夹具基底和夹具头分别与夹具体部两端连接,且所述夹具基底和夹具头平行于基底表面;所述夹具体部与所述夹具基底可动连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶方半导体科技股份有限公司,未经苏州晶方半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420713005.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种不良半导体芯片去除装置
- 下一篇:半导体芯片分向测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造