[实用新型]一种保护电路有效
申请号: | 201420701874.5 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN204290268U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 王旭巍 | 申请(专利权)人: | 上海斐讯数据通信技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H11/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201616 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 | ||
1.一种保护电路,应用于嵌入式设备,其特征在于,包括
电源,用以提供电压;
保护模块,连接于所述电源与一负载之间,于所述电源输出的电压为过电压和/或者电源输出端的正极、负极接反的状态下,控制所述负载与所述电源断开。
2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述保护模块包括一检测电路和一过压保护电路;
检测电路包括第一电阻和第一稳压管,所述过压保护电路包括第一三极管、第一开关管、第二电阻,
所述第一电阻的一端连接所述电源的正极,所述第一电阻的另一端连接所述第一稳压管的反向端;
所述第一稳压管的正向端连接公共地,所述第一稳压管的反向端形成所述检测电路的输出端,
所述第一三极管的基极连接所述第一稳压管的反相端,所述第一三极管的集电极通过所述第二电阻连接所述公共地,所述第一三极管的发射极连接所述电源的所述正极;
所述第一开关管的输入端连接所述第一三极管的发射极,所述第一开关管的控制端连接所述第一三极管的集电极,所述第一开关管的输出端连接所述负载。
3.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述保护模块包括防反接保护电路,所述防反接保护电路由第二开关管形成;
所述第二开关管的输入端连接所述第一开关管的输出端;所述第二开关管的输出端连接所述负载;所述第二开关管的控制端连接所述公共地。
4.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述第一三极管为PNP三极管。
5.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述第一开关管为第一PMOS管,所述第一开关管的输入端为所述第一PMOS的源 极;所述第一开关管的输出端为所述第一PMOS管的漏极,所述第一开关管的控制端为所述第一PMOS管的栅极。
6.根据权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述第二开关管为第二PMOS管,所述第二开关管的输入端为所述第二PMOS的漏极;所述第二开关管的输出端为所述第二PMOS管的源极,所述第二开关管的控制端为所述第二PMOS管的栅极。
7.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述第二电阻的阻值范围是4.7kΩ~10kΩ。
8.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,还包括第一电容,所述第一电容连接于所述第一开关管的输入端与所述第一开关管的控制端之间。
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