[实用新型]一种3D眼镜控制电路

说明书

技术领域

本申请属于3D眼镜技术领域，特别是涉及一种3D眼镜控制电路。

背景技术

3D电视越来越普及，配合3D电视技术的快门式3D眼镜也越来越多，快门式3D眼镜在工作及待机的时候均会耗电，目前通用的做法是用一块纽扣电池来供电，通过3D眼镜主控芯片来做电源管理。待机及关机的时候3D主控进入睡眠状态。

纽扣电池因为体积的原因容量都做不大，因无物理切断电源机制(受结构所限及美观等原因，都不会使用硬性开关，而大量采用轻触开关)，待机及关机功耗就显得格外的关键。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种3D眼镜控制电路，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开了一种3D眼镜控制电路，包括电源、MOS场效应晶体管、第一电阻、第二电阻和三极管，所述MOS场效应晶体管的源极与所述电源连接，所述MOS场效应晶体管的漏极连接至3D眼镜的主控制单元，所述第一电阻连接在所述电源和MOS场效应晶体管的栅极之间，所述三极管的集电极与所述MOS场效应晶体管栅极连接，所述三极管的发射极接地，所述第二电阻连接于所述三极管的发射极和基极之间，所述控制电路还包括一按键，该按键的输入端连接于所述电源，该按键的输出端通过第三电阻接地，所述控制电路还包括一个共阴极双二极管，其中双二极管的一个正极连接于按键的输出端，另一个正极接主控制单元的I/O接口，共同的负极通过第四电阻连接至三极管的基极。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述MOS场效应晶体管为PMOS管。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述共阴极双二极管型号为BAV74。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，：所述第一电阻为10KΩ。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第二电阻为10KΩ。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第三电阻为10KΩ。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述第四电阻为1KΩ。

优选的，在上述的3D眼镜控制电路中，所述电源为纽扣电池或可充电电池。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型利用MOS管来做电子开关，配合3D主控来完全切断电源，本实用新型通过此方法，可以更省电，基本可以做到关机0功耗，使电池能够使用的时间更长。当然，也就更环保。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中3D眼镜控制电路的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参图1所示，3D眼镜控制电路包括电源BAT_IN、MOS场效应晶体管Q1、第一电阻R2、第二电阻R4和三极管Q1。其中，电源BAT_IN可以为纽扣电池，也可以为可充电电池，例如锂电池，MOS场效应晶体管优选为AO3401，第一电阻R2和第二电阻R4的阻值优选为10KΩ，三极管Q1优选为NPN型三极管2N3904。

MOS场效应晶体管Q1的源极S与电源BAT_IN连接，MOS场效应晶体管的漏极D连接至3D眼镜的主控制单元，第一电阻R2连接在电源BAT_IN和MOS场效应晶体管的栅极G之间，三极管Q1的集电极与MOS场效应晶体管Q1栅极G连接，三极管Q1的发射极接地，第二电阻R4连接于三极管Q1的发射极和基极之间。

R2及R4的作用都是为了系统的稳定性，以分别保持Q1和Q2为关断状态。