[实用新型]用于集成电路的静电放电触发电路

权利要求书

1.用于集成电路的静电放电触发电路，包括有电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管和由PMOS晶体管及NMOS晶体管组成的反相器，其特征在于：

电阻（1）一端连接在电源上，另一端与NMOS晶体管I（2）的栅极相连，NMOS晶体管I（2）的源极与漏极相连接地；

PMOS晶体管I（8）与NMOS晶体管II（3）组成反相器I（11），PMOS晶体管II（9）与NMOS晶体管III（4）组成反相器II（12），PMOS晶体管III（10）与NMOS晶体管IV（5）组成反相器III（13），其中PMOS晶体管I（8）、PMOS晶体管II（9）、PMOS晶体管III（10）的漏极接电源，NMOS晶体管II（3）、NMOS晶体管III（4）、NMOS晶体管IV（5）的源极接地，反相器I（11）的输入端连接在NMOS晶体管I（2）的栅极，反相器I（11）输出端连接在反相器II（12）的输入端，反相器II（12）的输出端连接反相器III（13）的输入端；

NMOS晶体管V（6）的栅极和漏极连接在反相器III（13）的输出端，源极接地；

NMOS晶体管VI（7）漏极连接电源，栅极连接在反相器III（13）的输出端，源极接地。

2.根据权利要求1所述的用于集成电路的静电放电触发电路，其特征在于：所述的NMOS晶体管VI（7）为BigFET晶体管。

3.根据权利要求1所述的用于集成电路的静电放电触发电路，其特征在于：NMOS晶体管V（6）为低阈值电压NMOS晶体管。