[实用新型]一种薄膜压力传感器有效
| 申请号: | 201420694900.6 | 申请日: | 2014-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN204286669U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 周国方;景涛;龚星;袁云华;章良 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 压力传感器 | ||
1.一种薄膜压力传感器,其特征在于,包括弹性基底(1),所述弹性基底(1)为由两个竖直部分和连接所述两个竖直部分顶端的水平部分构成的倒U型;所述倒U型上表面覆盖有缓冲层(2);所述缓冲层(2)上设有绝缘层(3);所述倒U型水平部分上方的绝缘层(3)上设有多个应变电阻层(4);所述倒U型竖直部分上方的绝缘层(3)上设有多个测温电阻层(5);所述应变电阻层(4)和测温电阻层(5)上表面的焊盘区域均设有电极层(6);所述多个应变电阻层(4)之间的绝缘层(3)上、所述测温电阻层(5)与应变电阻层(4)之间的绝缘层(3)上,以及应变电阻层(4)和测温电阻层(5)的非焊盘区域均设有钝化层(7)。
2.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述弹性基底(1)采用不锈钢制成。
3.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述缓冲层(2)为氧化钽薄膜,所述氧化钽薄膜厚度为0.05μm~ 0.1μm。
4.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述应变电阻层(4)为氧化钽薄膜,所述氧化钽薄膜厚度为2.5μm~3μm。
5.根据权利要求4所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述氧化钽薄膜的方块电阻为10Ω/方块,应变因子大于3.5。
6.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述测温电阻层(5)由金属铂薄膜制备而成。
7.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述钝化层(7)为二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜厚度为0.2 μm。
8.根据权利要求1所述的薄膜压力传感器,其特征在于,所述电极层(6)由金属镍铬、铂和金薄膜依次沉积制备而成。
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