[实用新型]掩模板有效
| 申请号: | 201420680210.5 | 申请日: | 2014-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN204178120U | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
| 发明(设计)人: | 卢兵 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 模板 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩模板。
背景技术
在显示面板如液晶显示面板的制造过程中,一般都要经过多次掩模以在彩膜基板上形成所需的图形。掩模次数越多所需的制造成本越高,同时,掩模板曝光时还会带来如尺寸不均、图形形变等其他不良影响。
目前,现有技术常用的掩模板曝光工艺为接近式曝光和接触式曝光。接近式曝光与接触式曝光的区别在于曝光时掩模板与彩膜基板是分开的还是贴紧的。其中,接触式曝光的掩模板是压在光刻胶的彩膜基板上,由于掩模板与彩膜基板直接接触,使得掩模板易污染,所以相比接触式曝光,接近式曝光更为常用。接近式曝光的掩模板位于彩膜基板上方一定范围,掩模板与彩膜基板是不接触的,但也正由于掩模板与彩膜基板是不接触的,使得掩模板与彩膜基板之间难以保证一致的间距,即曝光时的曝光间距不一致,从而导致曝光后的曝光图形形变量不一致、曝光图形尺寸不均一。因此,提供一种能够将曝光间距保持一致,以使曝光后的曝光图形能够具有一致的曝光图形形变量和均一的曝光图形尺寸的掩模板是本领域技术人员所要解决的重要课题。
实用新型内容
本实用新型提供了一种掩模板,能够将曝光间距保持一致,从而使曝光图形具有一致的曝光图形形变量和均一的曝光图形尺寸。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
本实用新型提供一种掩模板,包括不透光区域和透光区域,且在所述不透光区域内设有高度一致的隔垫物。
其中,所述隔垫物的高度为100-300μm。
所述隔垫物的边缘距离所述不透光区域的边缘3-10μm。
所述隔垫物位于所述不透光区域内的中心区域。
所述隔垫物为连续型分布或离散型分布。
所述隔垫物的连续型分布的分布密度为每24个至每36个亚像素单位一个隔垫物。
所述隔垫物的形状为圆柱形、方柱型、棱柱形和球形中的任意一种。
本实用新型还提供另一种掩模板,包括有效显示区域和无效显示区域,所述无效显示区域内设有高度一致的隔垫物。
其中,所述隔垫物的高度为100-300μm。
所述隔垫物的连续型分布的分布密度为每20万100万个亚像素单位一个隔垫物。
本实用新型提供了一种掩模板,在该掩膜板的不透光区域内设有高度一致的隔垫物,利用该隔垫物将掩模板与彩膜基板进行接触,这样在曝光处理时,由于隔垫物的高度一致,从而将整个掩模板与彩膜基板之间的间距保持一致,即能够保持一致的曝光间距,从而使得掩模板曝光后所得到的曝光图形具有一致的曝光图形形变量和均一的曝光图形尺寸。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种掩模板示意图;
图2为本实用新型实施例提供的另一种掩模板示意图;
图3为使用根据本实用新型实施例提供的一种掩模板的曝光处理方法示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
下面结合附图对本实用新型实施例进行详细描述。
如图1所示,本实用新型实施例提供一种掩模板10,包括不透光区域11和透光区域12,且在不透光区域11内设有高度一致的隔垫物13。
掩模板一般都包括有效显示区域和无效显示区域。有效显示区域为掩模板的图形区,对应基板上掩模板曝光处理后形成图形所在的区域,无效显示区域为有效显示区域的每一单元格之间间隔的区域,对应基板上掩模板曝光处理后形成图形所在的区域之间间隔的区域,是在后续中需要切割去除的区域。
有效显示区域一般又分为不透光区域和透光区域。不透光区域一般为不透光铬(Ge)层,用于在基板上形成与掩模对应的图形。隔垫物用于支撑掩模板,现有技术中已知的隔垫物均可以应用到本实用新型中,本实用新型对其制作方法和材质均不作限定。例如,本实用新型实施例提供的掩模板可以通过现有技术常用的光刻胶工艺将高度一致的隔垫物设于掩模板的不透光区域内。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





