[实用新型]封装装置有效
申请号: | 201420678608.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN204167262U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 高昕伟;王丹;洪瑞;孔超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示面板制造技术领域,尤其涉及一种封装装置。
背景技术
目前发光二极管显示面板主要采用玻璃封接料(Frit)来进行封装。图1是现有封装方式示意图,第一基板1和第二基板2之间通过封接料3封装在一起,其中第二基板2上设置有发光单元4。封装过程中,使用激光器7照射封接料3使之熔化,在封接料3再次固化的过程中,就能够将第一基板1和第二基板2封装在一起。
由于激光一次只能对局部的封接料3进行照射,因此局部封接料3熔化时,第一基板1与第二基板2之间会发生应力释放,释放的应力容易使两者分离,导致封接料3不能有效封装第一基板1和第二基板3,发生封装不良问题。
现有技术中的一种解决方法是在第一基板1的外侧设置受热膨胀层和其它夹层,当封接料3受到激光照射熔化时,产生的热量同时传递给受热膨胀层,受热膨胀层受热后发生膨胀,进而将第一基板1压附在第二基板2上,从而防止两者由于应力释放而发生分离。这种方法需要保持激光由下向上照射,既不方便操作,同时由于该受热膨胀层采用有机高分子材料或者弹性橡胶材料制作,容易造成污染。
现有技术中的另一种解决方法是在第一基板1与第二基板2外侧添加压板组件,为第一基板1和第二基板2提供夹持力,同时设置传感器感应两者之间压力的大小,避免由于夹持力太小造成密封效果差,或者因为夹持力过大而造成器件损伤,从而改善封装质量。这种方法在封装时,由于第一基板1与第二基板2的间距非常小(通常在20μm以下),传感器很难有效感应压板组件压力的大小,而且如何实现传感器与显示器件的有效整合也是个难题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种封装装置,以改善封接料熔化时,发光二极管显示面板的两基板之间由于应力释放而导致的封装不良问题。
为解决上述技术问题,作为本实用新型的第一个方面,提供一种封装装置,用于封装发光二极管显示面板,所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料,所述封装装置包括能够通过磁力互相吸引的第一吸附件和第二吸附件,所述第一吸附件和所述第二吸附件中的一者用于设置在所述第一基板的外侧,另一者用于设置在所述第二基板的外侧。
优选地,所述第一吸附件包括铁磁性材料,所述第二吸附件包括电磁体。
优选地,所述封装装置还包括第一吸附件载体,所述第一吸附件设置在所述第一吸附件载体上。
优选地,所述第一吸附件包括多个子吸附件,多个所述子吸附件之间形成有间隔,所述第一吸附件载体上对应于所述间隔的部分能够透光。
优选地,所述封装装置还包括隔离件,所述隔离件设置在所述电磁体与所述第一基板和所述第二基板中外侧设置有所述电磁体的一者之间,所述隔离件由非铁磁性材料制成。
优选地,所述电磁体包括独立控制的多个子电磁体。
作为本实用新型的第二个方面,还提供一种封装方法,用于封装发光二极管显示面板,所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料,所述封装方法包括以下步骤:
在所述第一基板和所述第二基板的至少一者上设置固态的封接料;
将所述第一基板和所述第二基板对盒;
将第一吸附件设置在所述第一基板和所述第二基板中的一者的外侧;
将第二吸附件设置在所述第一基板和所述第二基板中的另一者的外侧;
熔化所述封接料,以将所述第一基板和所述第二基板连接,其中,当所述封接料熔化时,所述第一吸附件和所述第二吸附件之间通过磁力互相吸引;
将熔化的封接料固化。
优选地,所述第一吸附件与所述第二吸附件在所述第一基板和/或所述第二基板上的正投影至少部分重合。
优选地,所述第一吸附件和所述第二吸附件的位置对应于所述封接料的位置。
优选地,所述第一吸附件包括铁磁性材料,所述第二吸附件包括电磁体,在熔化所述封接料的步骤中,向所述电磁体通电,以使所述第二吸附层产生磁力,在将熔化的封接料固化的步骤中,停止向所述电磁体通电。
优选地,利用激光熔化所述封接料,所述电磁体包括多个子电磁体,多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置,在熔化所述封接料的步骤中,向激光照射的区域处的所述子电磁体通电。
优选地,通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光的强度的增大而增大;
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