[实用新型]一种新型可控硅触发电路有效

专利信息
申请号: 201420672930.7 申请日: 2014-11-12
公开(公告)号: CN204231187U 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 李华 申请(专利权)人: 天津华拓电子有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王利文
地址: 301700 天津市武清*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 可控硅 触发 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于触发电路技术领域,尤其是一种新型可控硅触发电路。

背景技术

可控硅触发电路通常采用隔离脉冲变压器将控制回路与主回路进行隔离,利用脉冲变压器二次侧所产生的直流电来触发主回路的可控硅进行导通,从而达到控制交流电的目的。现有的触发电路通常包括可控硅门集触发脉冲发生电路、脉冲功率放大电路和脉冲变压器等部分,其电路结构复杂、可靠性差且维护困难。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结构简单、可靠性高且便于维护的新型可控硅触发电路。

本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:

一种新型可控硅触发电路,包括连接在三相交流电机和微处理器之间的三个触发电路,每个触发电路均包括两个光电耦合器、两个可控硅和两个二极管,每个触发电路的具体电路连接关系为:两个光电耦合器的原边二极管串联在一起,第一光电耦合器的原边二极管正极通过三极管与微处理器的波形控制信号端口相连接,第二光电耦合器的原边二极管负极连接到微处理器控制端口上,两个光电耦合器的副边分别通过二极管连接到两个可控硅上,两个可控硅连接到交流电机的一相接线端。

而且,所述的光电耦合器采用TLP160J器件、BRT12器件或MOC3012器件。

而且,所述的可控硅为三端双向可控硅。

本实用新型的优点和积极效果是:

本实用新型设计合理,其采用MCU与光电耦合器实现高频调制脉冲触发功能,解决了采用双窄脉冲时可能丢脉冲以及宽脉冲会增加晶闸管的门集损耗的问题,使得触发装置可靠性大幅提高,同时,由于去掉了脉冲变压器使得系统驱动电路成本大大减少,具有电路结构简单、可靠性高、调试和适用方便等特点。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型实施例做进一步详述:

一种新型可控硅触发电路,如图1所示,包括连接在三相交流电机和MCU(微处理器)之间的三个触发电路。三个触发电路的结构完全相同,每个触发电路均包括两个光电耦合器、两个可控硅和两个二极管,在本实施例中,光电耦合器采用的TLP160J(或者采用BRT12、MOC3012等)光电耦合器,其输出额定电压为600V,最大隔离电压为2500V。在图1中,第一个触发电路包括两个光电耦合器(OT7、OT8)、两个可控硅(VT1、VT2)和两个二极管(D2、D3),第二个触发电路包括两个光电耦合器(OT9、OT10)、两个可控硅(VT3、VT4)和两个二极管(D4、D5),第三个触发电路包括两个光电耦合器(OT11、OT12)、两个可控硅(VT5、VT6)和两个二极管(D6、D7)。每个触发电路的具体电路连接关系为(以第一个触发电路为例进行说明):两个光电耦合器(OT7、OT8)的原边二极管串联在一起,光电耦合器OT7的原边二极管正极通过三极管BC847A与MCU(微处理器)的波形控制信号端口PA5相连接,光电耦合器OT8的原边二极管的负极连接到MCU(微处理器)的PC2端口,两个光电耦合器(OT7、OT8)的副边分别通过二极管(D2、D3)连接到两个可控硅VT1和VT2上,两个可控硅VT1、VT2连接到交流电机的一相端口上。MCU(微处理器)的波形控制信号端口PA5连接到每个触发电路的第一个原边二极管的正极上,每个触发电路第二个原边二极管的负极与MCU(微处理器)的I/O端口上,每个触发电路的两个可控硅连接到三相交流电机上。在本实施例中,可控硅为三端双向可控硅。

MCU(微处理器)的波形控制端口PA5为脉冲封锁信号,工作时,其处于高电平状态。以第一个触发电路电路为例,如果OT8_PC2为低电平,PA5为高电平时,光电耦合器OT8、OT7两个光耦的导通,从而实现对三相交流电机的控制。

需要强调的是,本实用新型所述的实施例是说明性的,而不是限定性的,因此本实用新型包括并不限于具体实施方式中所述的实施例,凡是由本领域技术人员根据本实用新型的技术方案得出的其他实施方式,同样属于本实用新型保护的范围。

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