[实用新型]一种双晶体管自激式电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路领域，具体涉及一种双晶体管自激式电路。

背景技术

现有之压电自激式电路一般为单一晶体管元件、IC元件或是电感式升压元件等来产生驱动讯号，并依据驱动讯号来配置压电元件之振荡作业。但是IC驱动元件其成本较为昂贵且无法在低电压下进行操作，而电感式升压驱动元件则是有可靠度不佳的问题，因此在考量成本以及可靠度下，现阶技术多采用晶体管元件作为驱动之元件。但是单一晶体管之自激振荡控制电路其原理系在自激式电路连接电源后，透过单一晶体管产生单一半周之振荡讯号，以驱动压电元件做单一方向之振动。由于此种方式仅使用到压电元件的单一半周工作效能，而造成另一半周工作效能之浪费。所以如何提供一种具有正、负半周驱动讯号以驱动压电元件作双向振动之自激式电路乃本领域亟需解决之技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的问题，提供一种双晶体管自激式电路。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种双晶体管自激式电路，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一电阻R1与第二电阻R2连接，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2连接处设有电容C1，所述第二电阻R2与第一晶体管Q1连接，所述第三电阻R3和所述电容C1分别与压电元件PZ的第一端M和第二端F，所述压电元件PZ的共同端G分别与所述第四电阻R4和第二晶体管Q2连接，所述第二晶体管Q2与第五电阻R5连接，所述第一晶体管Q1与所述第二晶体管Q2都连接到所述接地端GND。

进一步的，所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2都是双载子接面晶体管，所述两个晶体管的工作电压端分别为集极Collector和射极Emitter，且偏压端系为基极Base。

进一步的，所述输入电压端VCC提供电路的工作电压，所述接地端GND提供电路的参考电位。

本实用新型的有益效果:

采用本实用新型技术方案，通过线路优化，激发压电元件正负半周振荡， 在极低的成本负担下，有效提升蜂鸣器音压输出，在满足客户高声压需求的同时，且工作状态稳定，利于批量生产。

附图说明

图1是本实用新型双晶体管自激式电路的设计原理图；

图2是本实用新型双晶体管自激式电路的实际输出效果比对图，其中L1为本实用新型的双晶体管自激式电路的音压响应曲线，L2为常规单晶体线路的音压响应曲线。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本实用新型。

参照图1所示，一种双晶体管自激式电路，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一电阻R1与第二电阻R2连接，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2连接处设有电容C1，所述第二电阻R2与第一晶体管Q1连接，所述第三电阻R3和所述电容C1分别与压电元件PZ的第一端M和第二端F，所述压电元件PZ的共同端G分别与所述第四电阻R4和第二晶体管Q2连接，所述第二晶体管Q2与第五电阻R5连接，所述第一晶体管Q1与所述第二晶体管Q2都连接到所述接地端GND。

进一步的，所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2都是双载子接面晶体管，所述两个晶体管的工作电压端分别为集极Collector和射极Emitter，且偏压端系为基极Base。

进一步的，所述输入电压端VCC提供电路的工作电压，所述接地端GND提供电路的参考电位。

本实用新型的原理：

压电元件PZ包含第一端M、第二端F以及共同端G，其第一端M为电性连接输入电压端VCC。其第二端F经由一电容C1电性连接输入电压端VCC，而共同端G亦电性连接输入电压端VCC。第一晶体管Q1之偏压端系电性连接输入电压端VCC，并透过电容C1与压电元件PZ之第二端F电性连接。第一晶体管Q1之二工作电压端系跨接于压电元件PZ之第一端M与接地端GND之间，以配置压电元件PZ于一半周(正半周)之振荡。第二晶体管Q2之偏压端(基极)系电性连接输入电压端VCC以及压电元件PZ之第一端M，第二晶体管Q2之二工作电压端系跨接于压电元件PZ之共同端G与接地端GND之间，以配置压电元件PZ于另一半周(负半周)之振荡。