[实用新型]一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，属于微波器件技术领域。

背景技术

现代雷达系统对微波功率器件的总体要求输出功率大、功率密度高、宽工作频带、较高的发射效率、能线性工作以及低成本和高可靠性。输出功率达百瓦级以上的C波段GaN微波大功率器件，一般需要进行多胞合成。单芯片GaN的输入输出阻抗都比较低，需要进行器件内匹配，来提升器件的输入输出阻抗。由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，而且器件的输入输出阻抗都匹配到50欧姆。器件内匹配通常的匹配方式是第一级匹配采用集总参数的T型匹配。第二级采用功率分配器的方式匹配到50欧姆。功率分配器除了具有功率分配和阻抗匹配功能外，还需要防止器件内部形成反馈导致的奇模振荡。

实用新型内容

为解决现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路。

为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：

一种适用于C 波段GaN微波大功率器件宽带匹配电路，其特征是，包括封装管壳、输入端宽带匹配电路、输出端宽带匹配电路和GaN芯片；所述输入端宽带匹配电路和输出端宽带匹配电路均分为两级，包括第一级T型匹配电路和第二级四路功率分配器；所述第一级T型匹配电路由串联电感和并联电容串联组成；所述第二级四路功率分配器匹配到50欧姆；所述第二级四路功率分配器分为两级，第一级由一个输入端口导出成两个输出端口，第二级由第一级导出的两个输出端口各自再导出成两个输出端口，形成四个输出端口。

前述的一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，其特征是，所述第一级T型匹配电路的阻抗变换Q值设置有上限。

前述的一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，其特征是，所述第二级四路功率分配器的输出端口的相位控制在5度以内。

前述的一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，其特征是，所述第二级四路功率分配器采用传输线进行阻抗匹配。

前述的一种适用于C波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，其特征是，所述第二级四路功率分配器的输出端口设置有隔离电阻。

本实用新型所达到的有益效果：本实用新型采用了两级匹配的方式实现宽带匹配。功率分配器的传输线比较宽，没有电迁移现象，不会出现长期可靠性问题。功率分配器输出端各金丝键合点的相位不一致性控制在5度以内,保证了器件整体的输出功率和合成效率。在功率分配器的输出端口采用隔离电阻，增加器件各个端口的隔离度和回波损耗，防止器件发生奇模振荡。

附图说明

图1是本装置的截面结构示意图；

图2是四路功率分配器结构示意图。图中附图标记的含义：

1-封装管壳，2-输入端匹配电容，3-GaN芯片，4-输出端匹配电容，5-输入端引脚，6-输出端引脚，7- 输入端宽带匹配电路的四路功率分配器，8.输出端宽带匹配电路的四路功率分配器，9-键合金丝，72、73、74 -隔离电阻，P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8- 键合金丝点。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

本实用新型涉及的一种适用于C 波段GaN微波大功率器件的宽带匹配电路，包括封装管壳1、输入端宽带匹配电路、输出端宽带匹配电路和GaN芯片3。

其中，如图1所示，输入端宽带匹配电路和输出端宽带匹配电路均分为两级，包括第一级T型匹配电路和第二级四路功率分配器。

第一级T型匹配电路由串联电感和并联电容串联组成。第二级四路功率分配器将电容匹配到50欧姆。第二级四路功率分配器分为两级，第一级由一个输入端口导出成两个输出端口，第二级由第一级导出的两个输出端口各自再导出成两个输出端口，形成四个输出端口。

本装置采用小信号仿真，输出端采用隔离电阻，可以增加器件各个端口的隔离度和回波损耗，防止器件发生奇模振荡。

功率分配器采用传输线进行阻抗匹配。传输线比较宽，没有电迁移现象，也不会有长期可靠性问题。

功率分配器的输出端口，也就是如图2中的键合金丝点P1,P2,P3,P4,P5,P6, P7,P8的相位一致性控制在5度以内，以保证器件整体的输出功率和合成效率。