[实用新型]阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201420655692.9 申请日: 2014-11-05
公开(公告)号: CN204129397U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 王振伟;范宇光;方业周;朱红;于洪俊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;安利霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,特别是一种阵列基板和显示装置。 

背景技术

对于液晶显示而言,其从总体上包括两种模式:横向电场模式和垂直电场模式。垂直电场模式的液晶显示器又包括多种类型,如:边缘场开关FFS模式、平面转换IPS模式和高级超维场转换技术ADS模式等。 

垂直电场模式的液晶显示装置中,当亚像素的亮度最高时,对应的液晶分子处于最大偏转状态。此时,当显示装置的显示面受到外界压力(如用户进行触摸控制操作时指点屏幕带来到压力)时,会导致液晶分子发生反向偏转。 

而在液晶分子发生反向偏转时,由于液晶受回复力的存在,会导致液晶分子难以恢复或者难以快速恢复到水平的最大偏转状态,导致显示的实际亮度低于目标亮度,影响显示质量。 

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种阵列基板和显示装置,提高显示质量。 

为了实现上述目的,本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括:对应于亚像素设置的像素电极和对应于亚像素设置的公共电极,所述像素电极和公共电极之间设置有绝缘层,所述像素电极和公共电极形成作用于液晶的横向电场,所述像素电极和公共电极之中的至少一个包括: 

相对设置的第一导电连接条;和 

形成于所述第一导电连接条之间的多个电极条,所述多个电极条通过所述第一导电连接条电连通为一体,相邻的电极条之间形成有狭缝; 

所述多个电极条中存在至少一个电极条,所述至少一个电极条的一端与所 述第一导电连接条中的一个电连接,另一端与所述第一导电连接条中的另一个间隔一定距离,形成一开口,连通相邻的所述狭缝。 

上述的阵列基板,其中,还包括:相对设置的第二导电连接条,和所述第一导电连接条形成一导电连接框,所述多个电极条通过所述导电连接框相互电连接。 

上述的阵列基板,其中,所述多个电极条相互平行。 

上述的阵列基板,其中,所述开口包括多个时,在所述电极条的延伸方向上存在相对设置的开口。 

上述的阵列基板,其中,所述阵列基板为边缘场开关FFS模式或平面转换IPS模式或高级超维场转换技术ADS模式的阵列基板。 

上述的阵列基板,其中,所述导电连接框和所述多个电极条通过一次构图工艺形成。 

为了实现上述目的,本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。 

本实用新型实施例具有以下的有益效果: 

本实用新型实施例中,设置至少一个电极条,其一端与所述导电框电连接,另一端与所述导电框间隔一定距离,形成一开口,连通所述狭缝。上述方式设置的电极条使得在开口处,电场的方向与亚像素内其它位置的电场方向不同,从而使得该开口处的液晶的偏转程度较小,进而利用该偏转程度较小的液晶来影响其它位置的液晶,加快亚像素内的其它液晶分子的恢复,提高了显示效果。 

附图说明

图1a表示本实用新型实施例的阵列基板中的电极的一种结构示意图; 

图1b表示本实用新型实施例的阵列基板中的电极的另一种结构示意图; 

图1c表示本实用新型实施例的阵列基板中的电极的再一种结构示意图; 

图2表示现有技术的阵列基板中的电极的结构示意图; 

图3a表示本实用新型实施例的图1所示的阵列基板中其中一个具有缺口的电极条形成的电场的示意图; 

图3b表示本实用新型实施例的开口处的液晶分子在图3a所示的电场影响 下的偏转示意图; 

图4a-4b表示本实用新型实施例中的电极条的形状和位置的示意图; 

图5表示本实用新型实施例的阵列基板中,处于最高灰度时,亚像素内不同位置对应的液晶的偏转示意图。 

具体实施方式

本实用新型实施例的中,通过电极条的设计来改变亚像素边缘处的液晶分子的状态,使得亚像素边缘处的液晶分子能够对亚像素内的其它液晶分子形成一个粘滞作用,加快其它液晶分子恢复到原本偏转状态的速度,提高显示效果。 

为了实现上述目的,本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括:对应于亚像素设置的像素电极和对应于亚像素设置的公共电极,所述像素电极和公共电极之间设置有绝缘层,所述像素电极和公共电极形成作用于液晶的横向电场,所述像素电极和公共电极之中的至少一个,如图1a所示包括: 

相对设置的第一导电连接条1011;和 

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